[发明专利]一种TFT阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制造方法、和包括该TFT阵列基板的显示装置。

背景技术

目前，平板显示器，如LCD(Liquid Crystal Display)，由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。在成像过程中，LCD平板显示器中每一液晶像素点都由集成在TFT阵列基板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)来驱动，再配合外围驱动电路，实现图像显示，TFT是控制发光的开关，是实现液晶显示器和OLED显示器大尺寸的关键，直接关系到高性能平板显示器的发展方向。随着对产品的分辨率要求越来越高，在TFT基板结构中，如何降低共用电极线信号(公共信号)延迟，减少闪烁(Flicker)不均和串扰(Crosstalk)的同时，又不降低开口率，提高显示品质，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和包含该TFT阵列基板的显示装置。

一种TFT阵列基板，包括显示区和非显示区，所述显示区包括：第一金属层，其包括第一共用电极线；以及第二金属层，其包括第二共用电极线；所述非显示区包括第三共用电极线，所述第三共用电极线至少与所述第一、二共用电极线其中之一电性连接。

相应的，本发明还提供一种制造上述TFT阵列基板的方法，包括：在显示区形成第一金属层，其包括第一共用电极线；在第一金属层之上形成第二金属层，其包括第二共用电极线；以及在非显示区形成第三共用电极线。

相应的，本发明还提供一种显示装置，包括：如上所述的TFT阵列基板；以及彩膜基板，与所述TFT阵列基板相对设置；其中，所述彩膜基板朝向所述TFT阵列基板的一侧上设置有透明共用电极。

与现有技术相比，本发明具有如下突出的优点之一：

本发明的TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，通过将第一共用电极线设置在第一金属层(与栅线同一层)，将第二共用电极线设置在第二金属层(与数据线同一层)，可以减少一定数量的数据线，本发明巧妙利用减少的那一定数量的数据线，来设置第二共用电极线，以达到不降低开口率的目的，而且，第三共用电极线至少与第一、二共用电极线其中之一电性连接，使得在栅线驱动时，该TFT阵列结构可以实现纵向(数据线方向)和横向(栅线方向)的电流传导，至少达到降低共用电极线信号(公共信号)延迟，降低闪烁(Flicker)不均和串扰(Crosstalk)，提高了显示的品质，并且由于源极驱动器(未图示)成本比栅极驱动器(未图示)成本高，而减少了一定数量的数据线，就减少了源极驱动器，所以也可以实现降低制造成本，简化工艺流程的好处之一。

附图说明

图1是本发明实施例一的TFT阵列基板的结构示意图；

图2是本发明实施例二的TFT阵列基板的结构示意图；

图3是本发明实施例三的TFT阵列基板的结构示意图；

图4是本发明实施例四的TFT阵列基板的结构示意图；

图5(a)是本发明实施例四的TFT阵列基板制造工艺的结构示意图；

图5(b)是本发明实施例四的TFT阵列基板制造工艺的结构示意图；

图5(c)是本发明实施例四的TFT阵列基板制造工艺的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。

需要说明的是：

在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。

实施例一

如图1所示，本发明提供一种TFT阵列基板，包括显示区A和非显示区B，

显示区A包括：第一金属层11，其包括第一共用电极线111；以及第二金属层12，其包括第二共用电极线121；非显示区B包括第三共用电极线21，用于提供公共信号，第三共用电极线21与第一共用电极线111电性连接，第三共用电极线21与第二共用电极线121电性连接，第一共用电极线111与第一共用电极线111电性不连接。