[发明专利]一种TFT阵列基板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括显示区和非显示区，

所述显示区包括：

第一金属层，其包括第一共用电极线；以及

第二金属层，其包括第二共用电极线；

所述非显示区包括第三共用电极线，所述第三共用电极线至少与所述第一、二共用电极线其中之一电性连接；

其中，所述第一金属层内还包括栅线，所述第二金属层内还包括数据线；

所述第三共用电极线和所述第二共用电极线一体成型且位于同一层。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一、二共用电极线均与所述第三共用电极线电性连接。

3.如权利要求1或2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一共用电极线电连接于所述第二共用电极线。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅线为双栅线结构。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述第一共用电极线错开，所述数据线与所述第二共用电极线错开。

6.如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一共用电极线和所述第二共用电极线为直线或曲线。

7.如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括

位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层；

其中，所述第一、二共用电极线通过贯穿绝缘层的过孔电性连接。

8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二共用电极线与所述第一共用电极线的走线形状在平面上呈网状。

9.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括

像素电极，位于所述第二金属层之上；

其中，所述第二共用电极线的数量为i个，所述TFT阵列基板中，每行的像素电极数量为j个，2i小于等于j，i和j均为正整数。

10.一种制造如权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板的方法，包括：

在显示区形成第一金属层，其包括第一共用电极线；

在第一金属层之上形成第二金属层，其包括第二共用电极线；以及

在非显示区形成第三共用电极线；

其中，所述第一金属层内还包括栅线，所述第二金属层内还包括数据线；

所述第三共用电极线和所述第二共用电极线一体成型且位于同一层。

11.如权利要求10所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，在第一金属层和第二金属层之间形成绝缘层，并在所述绝缘层上设置过孔。

12.一种显示装置，包括：

权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板；以及

彩膜基板，与所述TFT阵列基板相对设置；

其中，所述彩膜基板朝向所述TFT阵列基板的一侧上设置有透明共用电极。