[发明专利]一种超薄电容膜及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄电容膜，所述超薄电容膜从上到下依次为表面层一（1）、芯层（2）和表面层二（3），其特征在于，所述芯层（2）主要由超有光切片和含醋酸镁的功能性聚酯母料组成，且所述功能性聚酯母料中醋酸镁粒子的质量含量为500ppm～10000ppm；所述醋酸镁占芯层（2）总质量的0.005%～0.03%；

所述表面层一（1）主要由超有光切片和含添加剂的功能性母料组成，且所述添加剂在功能性聚酯母料中的质量含量为2000～30000ppm，所述添加剂占表面层一（1）总质量的0.1%～2.0%；

所述表面层二（3）主要由超有光切片和含抗静电剂的功能性聚酯母料组成，且所述抗静电剂占表面层二（3）总质量的0.5%～3.0%。

2.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述醋酸镁占B层总质量的0.008%～0.02%。

3.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述添加剂选自二氧化硅、碳酸钙、滑石、碳酸钡、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯中的一种或几种。

4.根据权利要求3所述超薄电容膜，其特征在于，所述添加剂为二氧化硅、高岭土、氧化铝和交联聚苯乙烯的混合添加剂，且所述二氧化硅：高岭土：氧化铝：交联聚苯乙烯的质量比为1：0.2～0.3：0.05～0.1：0.05～0.08：0.5～0.6。

5.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述抗静电剂选自乙氧基月桂酷胺或甘油硬脂酸酯。

6.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述A层膜厚为0.5～1.5μm,所述B层膜厚为1～9μm，所述C层膜厚为0.5～1.5μm。

7.根据权利要求1所述超薄电容膜，其特征在于，所述功能性聚酯母料为功能性PET母料。

8.一种如权利要求1-7任意一项所述超薄电容膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

A、混料、熔融：按照芯层（2）、表面层一（1）和表面层二（3）的各成分组成称取相应的原料，分别进行混合均匀后，然后分别送入相应的挤出系统进行熔融；

B、共挤：使经过熔融的芯层（2）、表面层一（1）和表面层二（3）的熔体经三层共挤模头进行熔融共挤，使芯层（2）熔体从三层共挤模头的中间层挤出厚片，同时，使表面层一和表面层二的熔体分别从三层共挤模头的上、下层同时挤出厚片，再控制温度在20℃～35℃进行铸片；

C、纵向拉伸：将铸片在纵向拉伸机上进行纵向拉伸处理，纵向拉伸的温度为100℃～125℃，纵向拉伸比为3.5～5.5；

D、横向拉伸：经过纵向拉伸后，再进行横向拉伸处理，所述横向拉伸的温度为95℃～115℃，横向拉伸比为3.0～5.0；

E、定型：在210℃～240℃的条件下进行定型处理，经过冷却、收卷、切边，得到超薄电容膜。

9.根据权利要求8所述超薄电容膜的制备方法，其特征在于，步骤B中所述熔融共挤的温度为270℃～295℃。

10.根据权利要求8所述超薄电容膜的制备方法，其特征在于，步骤C中所述纵向拉伸比为4.0～5.0；步骤D中所述横向拉伸比为3.5～4.5。