[发明专利]ESD保护

权利要求书

1.一种用于电子部件的保护装置，用于防止瞬态干扰的保护，其中所述保护装置被电连接至电子部件的至少第一接触部和第二接触部，以及其中所述保护装置包括：

-- 第一级，其具有至少一个二极管，其中第一级被连接至至少一个端子；

-- 第二级，其通过至少一个电阻器与第一级分离，并且被直接连接至第一接触部和第二接触部，其中第二级是针对比第一级更小的电流而适配的，

其中第二级具有包括两个背对背二极管的至少一个二极管布置，其中所述两个背对背二极管被布置成阴极对阴极，其中所述两个背对背二极管是布置成p-n-p配置的多晶硅二极管，以及

其中所述两个背对背二极管包括第一p型区与第二p型区之间的浮动n型区。

2.根据权利要求1所述的保护装置，其中，所述两个背对背二极管的一个阳极通过具有基本上零电阻的连接而被连接至所述电子部件的第一接触部。

3.根据权利要求1所述的保护装置，其中，所述电子部件是硅半导体部件，并且至少两个背对背二极管被布置在所述部件的硅衬底上。

4.根据权利要求1所述的保护装置，其中，所述二极管布置包括布置成与所述两个背对背二极管串联的一个或多个另外的二极管。

5.根据权利要求1所述的保护装置，其中，所述二极管布置包括多个另外的二极管，所述多个另外的二极管在相对于彼此公共的方向上而定向并且被布置成与所述两个背对背二极管串联。

6.根据权利要求1所述的保护装置，其中，第二级包括一个或多个二极管，所述一个或多个二极管被与至少两个背对背二极管并联布置在所述电子部件的第一接触部和第二接触部之间。

7.根据权利要求6所述的保护装置，其中，与两个串联布置的二极管并联布置的一个或多个二极管是在向着第一接触部的正方向上取向的。

8.根据权利要求6所述的保护装置，其中，与所述至少两个背对背二极管并联布置的一个或多个二极管是多晶硅二极管。

9.根据权利要求1所述的保护装置，其中，第一级包括布置成p-n-p配置的至少两个背对背多晶硅二极管，其中所述两个背对背多晶硅二极管包括第一p型区与第二p型区之间的浮动n型区。

10.一种用于保护半导体部件防止瞬态干扰的保护装置，其中所述保护装置被并联电连接至电子部件的至少第一接触部和第二接触部，以及其中所述保护装置包括具有至少两个背对背多晶硅二极管的二极管布置，其中所述至少两个背对背多晶硅二极管以p-n-p配置被实施在所述半导体部件的硅衬底上，以及其中两个背对背多晶硅二极管包括第一p型区与第二p型区之间的浮动n型区。