[发明专利]检测件和晶圆有效
| 申请号： | 201310315240.6 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103400824A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 胡勇;于涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 | ||
1.一种检测件，设置于包括器件区和检测区的晶圆上，所述器件区用于形成半导体器件，所述半导体器件包括位于衬底上的第一栅极和第二栅极；所述检测件位于所述检测区，用于对所述半导体器件进行检测，其特征在于，包括：
检测有源区，所述检测有源区与所述半导体器件相对应；
第一检测栅极，位于所述检测有源区上，与所述第一栅极相对应；
第二检测栅极，位于所述检测有源区上，与所述第二栅极相对应；
第一检测连接线，与所述第一检测栅极相连；
第二检测连接线，与所述第二检测栅极相连。
2.如权利要求1所述的检测件，其特征在于，所述半导体器件为电可擦可编程只读存储器，所述检测件用于对所述电可擦可编程只读存储器进行检测。
3.如权利要求2所述的检测件，其特征在于，所述检测区包括阵列排布的检测有源区。
4.如权利要求3所述的检测件，其特征在于，所述检测有源区的尺寸在0.6μm×0.6μm～1.5μm×1.5μm的范围内。
5.如权利要求3所述的检测件，其特征在于，第一检测栅极和第二检测栅极平行设置，设置于位于同一列的所述检测有源区上。
6.如权利要求5所述的检测件，其特征在于，所述第一检测栅极和第二检测栅极的宽度在0.11μm～0.15μm的范围内。
7.如权利要求5所述的检测件，其特征在于，所述第一检测栅极和第二检测栅极之间的距离小于所述第一栅极和第二栅极之间的距离。
8.如权利要求5所述的检测件，其特征在于，所述第一检测栅极和第二检测栅极之间的距离在0.16μm～0.18μm的范围内。
9.如权利要求5所述的检测件，其特征在于，所述第一检测连接线与设置于各列检测有源区上的第一检测栅极均相连，所述第二检测连接线与设置于各列检测有源区上的第二检测栅极均相连。
10.一种晶圆，包括如权利要求1～9任一权利要求所述检测件。
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