[发明专利]高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜玻璃技术领域，具体的，涉及一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃及其制备方法。

背景技术

LOW-E玻璃是在玻璃表面利用磁控溅射法沉积多层膜，在多层膜层材料中沉积一层或两层或两层以上的纯银基材而成的高性能玻璃制品。LOW-E玻璃突出地强调了玻璃对太阳热辐射的遮蔽效果，将玻璃的高透光性与太阳热辐射的低透过性巧妙地结合在一起，成功地解决了高透光与低传热系数U值，遮阳系数SC值的双重优势并存的难题具有很好节能效果。

而双银LOW-E玻璃，相比于单银LOW-E玻璃，在产品的性能上又有了很大程度的提高，在透光率相同的情况下，双银LOW-E玻璃具有更低的遮阳系数SC，能更大限度地将太阳光过滤成冷光源；另一方面，双银LOW-E玻璃的传热系数较单银LOW-E更低，进一步提高了外窗的保温性能，真正达到了冬暖夏凉。总的来说，双银LOW-E玻璃较单银LOW-E玻璃在满足良好采光性能的同时，更大程度的提高了室内热舒适度，减少了设备采暖制冷的运行时间，节约了电能，是节约环保的好产品。

双银LOW-E玻璃存在许多优点的同时，也避免不了出现一些缺陷，如：产品可见光透过率低；产品性能不稳定；后续加工困难等。 

发明内容

为了解决现有技术上的上述缺陷，本发明提出了一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其目的在于提高镀膜玻璃的可见光透过率，稳定产品的性能，美化玻璃的外观颜色。

本发明提出的一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃依次包括：玻璃基板/底层电介质/第一阻挡层/第一功能层/第二阻挡层/中间电介质层/第三阻挡层/第二功能层/第四阻挡层/顶层电介质层；其中，底层、顶层电介质层为Si3N4层；第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层；第一、第二功能层为Ag层；中间电介质层为ZnSnO3层或者是Si3N4和ZnSnO3的组合层。

其中，所述的底层、顶层电介质层Si3N4层的膜层厚度范围为10～50nm。

其中，所述的第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层的膜层厚度范围为1～30nm。

其中，所述的第一、第二功能层Ag层的膜层厚度范围为1～30nm。

其中，所述的中间电介质层ZnSnO3层或者Si3N4和ZnSnO3的组合层的膜层厚度范围为30～150nm。

本发明还提出了一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：采用真空磁控溅射镀膜技术，在玻璃基板的表面逐层镀膜：在玻璃基板上镀底层电介质层；在底层电介质层上镀第一阻挡层；在第一阻挡层上镀第一功能层；在第一功能层上镀第二阻挡层；在第二阻挡层上镀中间电介质层；在中间电介质层上镀第三阻挡层；在第三阻挡层上镀第二功能层；在第二功能层上镀第四阻挡层；在第四阻挡层上镀顶层电介质层。

其中，所述的底层、顶层电介质层为Si3N4层；第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层；第一、第二功能层为Ag层；中间电介质层为ZnSnO3层或者Si3N4和ZnSnO3的组合层。

其中，所述的底层、顶层电介质层Si3N4层，使用硅铝靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体N₂与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为10～100KW;真空溅射的工艺气压为：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

其中，所述的第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层，使用锌铝靶或者AZO靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体O₂与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为1～80KW;真空溅射的工艺气压为：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

其中，所述的第一、第二功能层Ag层，使用银靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为1～20KW;真空溅射的工艺气压为：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

其中，所述的中间电介质层ZnSnO3层或者Si3N4和ZnSnO3的组合层，采用锌锡靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体O₂与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为10～100KW;真空溅射的工艺气压为：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。