[发明专利]高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于，该镀膜玻璃依次包括：玻璃基板/底层电介质层/第一阻挡层/第一功能层/第二阻挡层/中间电介质层/第三阻挡层/第二功能层/第四阻挡层/顶层电介质层；其中，底层、顶层电介质层为Si3N4层；第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层；第一、第二功能层为Ag层；中间电介质层为ZnSnO3层或者Si3N4和ZnSnO3的组合层。

2.根据权利要求1所述的高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述的底层、顶层电介质层Si3N4层的膜层厚度范围为10～50nm。

3.根据权利要求1所述的高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述的第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层的膜层厚度范围为1～30nm。

4.根据权利要求1所述的高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述的第一、第二功能层Ag层的膜层厚度范围为1～30nm。

5.根据权利要求1所述的高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述的中间电介质层为ZnSnO3层或者Si3N4和ZnSnO3的组合层的膜层厚度范围为30～150nm。

6.一种高透型可钢化双银低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于：采用真空磁控溅射镀膜技术，在玻璃基板的表面逐层镀膜：在玻璃基板上镀底层电介质层；在底层电介质上镀第一阻挡层；在第一阻挡层上镀第一功能层；在第一功能层上镀第二阻挡层；在第二阻挡层上镀中间电介质层；在中间电介质层上镀第三阻挡层；在第三阻挡层上镀第二功能层；在第二功能层上镀第四阻挡层；在第四阻挡层上镀顶层电介质层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述的底层、顶层电介质层为Si3N4层；第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层；第一、第二功能层为Ag层；中间电介质层为ZnSnO3层或者Si3N4和ZnSnO3的组合层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的底层、顶层电介质层Si3N4层，使用硅铝靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体N₂与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为10～100KW；真空溅射的工艺气压为：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的第一，第二、第三、第四阻挡层为ZnO层或者AZO层或者NiCrOx层，使用锌铝靶或者AZO靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体O₂与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为1～80KW；真空溅射的工艺气压为：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的第一、第二功能层Ag层，使用银靶，采用平面阴极，直流磁控溅射的方式，在工艺气体Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为1～20KW；真空溅射的工艺气压为：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。

11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述的中间电介质层ZnSnO3层或者Si3N4和ZnSnO3的组合层，采用锌锡靶，采用旋转双阴极，中频电源溅射的方式，在工艺气体O₂与Ar的参与下，溅射沉积形成膜；其溅射功率为10～100KW；真空溅射的工艺气压为：8.0E-3mbar～1.0E-3mbar。