[发明专利]烤箱与烤盘配合布局的方法

权利要求书

1.烤箱与烤盘配合布局的方法，包括烤箱及多组套的烤盘，所述烤盘具体形状包括圆盘和若干正多边形盘，其特征在于，其配合布局的方法包括以下步骤：

（1）、根据用户的目标值与烤箱的烘烤容积，选取上述烤盘中全部可供使用的烤盘作为第一备用盘体；

（2）、根据各形状烤盘的热量分布参数值，在第一备用盘体中选用其中一部分作为第二备用盘体；

（3)、根据各形状烤盘的热量分布均一度参数值，在第二备用盘体中选用其中一部分作为第三备用盘体；

（4）、根据烤箱容积与若干烤盘组合成烘烤面积之间的容纳情况，在第三备用盘体中选用其中一部分作为第四备用盘体；

（5）、将第四备用盘体中各烤盘进行合理优化布局，将各烤盘摆入烤箱内相应位置。

2.根据权利要求1所述的烤箱与烤盘配合布局的方法，其特征在于，所述组配方案中的若干烤盘为相同形状烤盘。

3.根据权利要求1所述的烤箱与烤盘配合布局的方法，其特征在于，所述组配方案中的若干烤盘为不相同形状烤盘。

4.根据权利要求1所述的烤箱与烤盘配合布局的方法，其特征在于，所述烤盘热量分布通过有限元方法解三维热传导方程：

∂∂x(kxx∂T∂x)+∂∂y(kyy∂T∂y)+∂∂z(kzz∂T∂z)+q···=ρcdTdt]]>

其中，

dTdt=∂T∂t+Vx∂T∂x+Vy∂T∂y+Vz∂T∂z]]>

其中，V_x，V_y，V_z均为媒介热传导速率；

将控制微分方程转化为等效的积分形式：

∫vol(ρcδT(∂T∂t{v}T{L}T)+{L}TδT([D]{L}T))d(vol)=]]>

∫S2δTq*d(S2)+∫S3δThf(TB-T)d(S3)+∫volδTq···d(vol)]]>

其中，vol为单元体积{L}T=∂∂x∂∂y∂∂z;]]>为单位体积的热生成；h_f为对流换热系数；T_B为流体的温度；δT为温度的虚变量；S₂为热通量的施加面积；S₃为对流的施加面积。