[发明专利]一种石斛的育种方法有效
申请号: | 201310314821.8 | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN103348919A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 范志伟;李昆华;岳健;董正兵;韩海燕;潘晓光;张志敏;姚云芳 | 申请(专利权)人: | 云南青谷生物科技有限公司;云南山里红生物科技有限公司 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00;A01H1/02 |
代理公司: | 北京市金栋律师事务所 11425 | 代理人: | 邢江峰 |
地址: | 650000 云南省昆明市官渡*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石斛 育种 方法 | ||
1.一种石斛的育种方法,其特征在于:
根据以下步骤完成:
步骤一,收集铁皮石斛种;
步骤二,在所收集铁皮石斛种中选出整体表现较好的作为亲本进行自交,得到蒴果;
步骤三,将得到的蒴果播种在培养基上;
步骤四,对培养基上所生出的后代实生苗种苗,根据株高、茎粗等外观指标筛选出表现较好的单株,对筛选的单株进行无性扩繁;
步骤五,对步骤四得到各无性株系,进行炼苗、移栽, 得到无性系石斛。
2.根据权利要求1所述的一种石斛的育种方法,其特征在于:步骤三的培养基为:在1/3MS培养基的基础上加入浓度为0.1mg/L的激动素KT、浓度为0.1mg/L的6-苄氨基腺嘌呤和体积分数为5%的土豆汁。
3.根据权利要求2所述的一种石斛的育种方法,其特征在于:步骤三中蒴果在培养基上的培养过程为:在温度23~28℃,光照强度为800~1200lux,光照时间为8h~10h/24h,培养90天,其间每30天换一次培养基。
4.根据权利要求2所述的一种石斛的育种方法,其特征在于:步骤三中蒴果在培养基上的培养过程为:在温度25℃,光照强度为1000lux,光照时间为8h/24h,培养90天,其间每30天换一次培养基。
5.根据权利要求1至4之一所述的一种石斛的育种方法,其特征在于:步骤四中对筛选的单株的茎段或者根进行无性扩繁。
6.根据权利要求5所述的一种石斛的育种方法,其特征在于:步骤四中采用茎段为外植体无性扩繁类原球茎的培养基为:浓度为0.5mg/L的激动素、浓度为1.5mg/L的细胞分裂素和质量分数为10%的土豆汁。
7.根据权利要求5所述的一种石斛的育种方法,其特征在于:步骤四中采用根进行无性扩繁时的培养基为:在1/2MS培养基的基础上加入浓度为1mg/L的萘乙酸、浓度为1mg/L的吲哚丁酸、浓度为0.1mg/L的细胞分裂素和体积分数为10%的香蕉汁。
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