[发明专利]固体摄像装置无效
申请号: | 201310313949.2 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN104078473A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 濑田涉二 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/552 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;杨谦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及背面照射型的固体摄像装置。
背景技术
近年来,作为背面照射型的固体摄像装置(摄像机模组),使用了由包含有摄像元件的芯片(以下记作像素芯片)和包含有逻辑电路的芯片(以下记作逻辑芯片)结构的层叠芯片。这是在固体摄像装置的开发中对减小固体摄像装置的尺寸而言非常有效的技术。
然而,在逻辑芯片的后级处理中,例如在高速地处理信号的情况下,会从处理电路产生放射噪声(EMI:Electromagnetic Interference)。该放射噪声会给像素芯片中的像素部分的信号处理带来噪声故障,会给图像信号带来负面影响。EMI的影响伴随着逻辑电路中的布线的集成度变高而变大。
发明内容
本发明所要解决的课题在于提供一种能够减少在图像信号中产生的噪声故障的固体摄像装置。
实施方式的固体摄像装置的特征在于,具备:半导体基板;晶体管,形成在所述半导体基板上;第一层间绝缘膜,形成在所述半导体基板上;第一多层布线层,形成在所述第一层间绝缘膜内,由多个布线层及对所述多个布线层间进行连接的布线通孔构成;第一屏蔽层,形成在所述第一层间绝缘膜内且相邻的所述布线层之间;第二屏蔽层,形成在所述第一层间绝缘膜内且相邻的所述布线通孔之间;第二层间绝缘膜,形成在所述第一层间绝缘膜上;第二多层布线层,形成在所述第二层间绝缘膜内;半导体层,形成在所述第二层间绝缘膜上;摄像元件,形成在所述半导体层内且所述第二层间绝缘膜的界面;以及滤色片,形成在所述半导体层上。
根据上述结构的固体摄像装置,能够减少在图像信号中产生的噪声故障。
附图说明
图1是表示第一实施方式的固体摄像装置的概要的图。
图2是表示第一实施方式的固体摄像装置的构造的截面图。
图3是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造方法的截面图。
图4是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造方法的截面图。
图5是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造方法的截面图。
图6是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造方法的截面图。
图7是表示第一实施方式的固体摄像装置的制造方法的截面图。
图8是表示第一实施方式的固体摄像装置的屏蔽层的布局的一个例子を示す图。
图9是表示第一实施方式的固体摄像装置中的屏蔽层的布局的他的例を示す图。
图10是表示第一实施方式的固体摄像装置中的逻辑芯片的一个例子的截面图。
图11是表示图10所示的构造的制造方法的截面图。
图12是表示图10所示的构造的制造方法的截面图。
图13是表示第一实施方式的变形例的固体摄像装置中的逻辑芯片的截面图。
图14是表示第一实施方式的变形例中的屏蔽层和垫片的俯视图。
图15是表示第二实施方式的固体摄像装置的概要的图。
图16是表示第三实施方式的固体摄像装置的概要的图。
图17是表示第三实施方式的固体摄像装置中的信号的流向的框图。
具体实施方式
以下,参照附图来对实施方式的固体摄像装置(传感器芯片)进行说明。在以下的说明中,对具有相同功能及结构的结构要素赋予相同的附图标记,并且仅在必要的情况下进行重复说明。
[第一实施方式]
对第一实施方式的固体摄像装置进行说明。
图1是表示第一实施方式的固体摄像装置的概要的图。图1(a)示出了固体摄像装置的截面图,图1(b)示出了像素芯片的俯视图,图1(c)示出了逻辑芯片的俯视图。图1(a)所示的截面图是沿着X方向的截面。
如图1(a)所示,固体摄像装置10包含有像素芯片11和逻辑芯片12层叠而成的层叠芯片而形成。在像素芯片11与逻辑芯片12之间,配置有屏蔽(shield)层13。换言之,像素芯片11与逻辑芯片12被贴合,在像素芯片11与逻辑芯片12的接合面(界面)形成屏蔽层13。另外,屏蔽层13的配置不限于接合面,也可以配置在比接合面靠内侧,即像素芯片11的层间绝缘层之中,并且也可以配置在逻辑芯片12的层间绝缘层之中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的