[发明专利]集成电路及包括该集成电路的显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路及一种包括该集成电路的显示装置，更具体地说，涉及一种包括对准标记的集成电路及一种包括该集成电路的显示装置。

背景技术

通过将诸如晶体管、电阻器和电容器的电子元件集成在单个基底上或基底中来获得集成电路（IC），以实现特定电路的功能。由于集成电路具有与通过单独布置电子元件而实现的电路相比减小了的尺寸并且一体地形成，所以促进了对它的处理和布线，并且使其大规模生产成为可能。因此，集成电路在各种电子装置中使用。

随着技术的发展，需要具有小型化了的尺寸和各种复杂的功能的电子装置。因此，需要包括在电子装置中的集成电路的尺寸小型化并且使其结构复杂。

近来，随着移动电话、智能电话、PMP和PDP的使用增加，显示装置趋于小型化和薄膜化。因此，即使在显示装置中，也能够使用具有小型化了的尺寸和复杂的结构的集成电路。例如，显示装置可使用集成电路作为用于驱动显示图像的显示面板的装置。

发明内容

集成电路可包括用于信号输入和输出的凸块。如果集成电路的尺寸小型化并且其结构复杂，则凸块的数量增多并且凸块的尺寸减小。如果凸块的数量增多并且凸块的尺寸减小，则当集成电路被安装在基底上时，会出现凸块之间的短路或者凸块的对不准，因此需要将集成电路精确地对准在基底上。

因此，本发明旨在解决现有技术中出现的上述问题，本发明解决的一个目标在于提供一种集成电路，在将集成电路安装在基底上时，该集成电路有助于集成电路的对准。

本发明解决的另一目标在于提供一种包括集成电路的显示装置，在将集成电路安装在基底上时，该集成电路有助于集成电路的对准。

本发明的其它优点、目标和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过下面的解释使本领域普通技术人员理解或者可以通过实施本发明来明了。

根据本发明的一方面，提供了一种集成电路，所述集成电路包括：基底；半导体层，布置在基底上；以及绝缘层，布置在半导体层的上部上，并且包括设置在其上表面上的凸块，其中，半导体层包括主半导体区域和包括p型半导体的对准标记区域，对准标记区域与主半导体区域分隔开，对准标记区域包括内部对准标记。

基底可以是硅基底。集成电路还可包括布置在绝缘层的上表面上的外部对准标记，外部对准标记可以与内部对准标记叠置。内部对准标记的形状可由在对准标记区域中布置有p型半导体的区域的形状来限定。内部对准标记可以包括位置对准标记。位置对准标记的形状可以相对于第一轴和与第一轴垂直的第二轴对称。

位置对准标记可以包括NMOS晶体管。p型半导体可以包括第一p型半导体以及在第一p型半导体上方并与第一p型半导体分隔开的第二p型半导体，NMOS晶体管可以包括第一p型半导体、第二p型半导体以及布置在第一p型半导体和第二p型半导体之间的n型半导体。第二p型半导体可包括彼此分隔开并进行了n+掺杂的第一掺杂区和第二掺杂区，NMOS晶体管还可包括布置在第一掺杂区和第二掺杂区之间的栅极。对准标记可以包括多个NMOS晶体管。

位置对准标记可为十字形。位置对准标记可为菱形。内部对准标记还可包括方向对准标记。方向对准标记可以相对于第一轴和第二轴不对称。方向对准标记可以与位置对准标记分隔开。内部对准标记还包括限定对准标记区域的区域限定对准标记。区域限定对准标记可围绕对准标记区域的外周，位置对准标记和方向对准标记可布置在区域限定对准标记中。内部对准标记的形状可以由在对准标记区域中的不存在p型半导体的区域的形状限定。对准标记区域可以包括NMOS晶体管。内部对准标记可以包括位置对准标记。位置对准标记可以相对于第一轴和与第一轴垂直的第二轴对称。位置对准标记可为十字形。位置对准标记可为菱形。内部对准标记还可包括方向对准标记。方向对准标记可以相对于第一轴和第二轴不对称。方向对准标记可以与位置对准标记分隔开。