[发明专利]电介质层中粘附结构的产生以及结合粘附结构的器件

权利要求书

1. 一种半导体器件结构，包括：

至少一个半导体器件；

邻接所述半导体器件的电介质层；

在所述电介质层中形成的几何结构；以及

在所述电介质层上沉积的导电层，其中所述导电层至少部分地位于所述几何结构上。

2. 根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述导电层包括键合垫。

3. 根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述键合垫位于所述几何结构上。

4. 根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括分散在第一导电层上的第二电介质层。

5. 根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述导电层基本上是钛。

6. 根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，第一电介质层基本上包括硼磷硅玻璃（BPSG）。

7. 根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述几何结构具有范围从100nm到300nm的深度。

8. 根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述几何结构具有范围从2μm到15μm的间隔。

9. 根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述几何结构具有在15-30μm的范围内形成的间隔。

10. 根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述几何结构具有在1-5μm的范围内形成的直径。

11. 一种在半导体器件上沉积导电层的方法，所述方法包括：

提供至少一个半导体器件；

在所述半导体器件上形成至少一个电介质层；

在所述电介质层中形成多个几何结构；以及

在第一电介质层上沉积第一导电层，第一导电层至少部分地位于所述多个几何结构上。

12. 根据权利要求11所述的沉积导电层的方法，其中，所述多个几何结构以100nm与300nm之间的深度来形成。

13. 根据权利要求11所述的沉积导电层的方法，其中，所述多个几何结构以范围从5μm到15μm的间隔来形成。

14. 根据权利要求11所述的沉积导电层的方法，其中，所述多个几何结构以范围从15μm到30μm的间隔来形成。

15. 根据权利要求11所述的沉积导电层的方法，其中，所述多个几何结构被形成具有在1-5μm的范围内的直径。

16. 根据权利要求11所述的沉积导电层的方法，其中，所述导电层包括位于所述几何结构上的键合垫。

17. 根据权利要求11所述的沉积导电层的方法，其中，所述导电层包括Ti。

18. 根据权利要求11所述的沉积导电层的方法，其中，第一电介质层包括BPSG。