[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示面板有效

专利信息
申请号: 201310311647.1 申请日: 2013-07-23
公开(公告)号: CN103412444A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 郭建;刘建涛 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1339 分类号: G02F1/1339;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示面板。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD Display)技术的发展和工业技术的进步,液晶显示器件生产成本降低、制造工艺的日益完善,液晶显示技术已经取代了阴极射线管技术显示成为日常显示领域的主流技术;由于其本身所具有的优点,在市场和消费者心中成为理想的显示器件。目前市场上立体显示技术日益兴起,故而解决立体显示技术上的技术缺点,改善成像质量(如减小色偏,降低立体串扰,画面闪烁,增大可视角度等)也日益重要。

高级超维场转换液晶显示技术具有高透过率,可视角度大,容易降低成本等优点,目前已成为高精尖显示领域的主流技术。高级超维场转换技术是平面电场宽视角核心技术,通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。该技术被广泛应用于高端手机屏幕,移动应用产品,电视等领域。彩色滤光片是液晶显示面板的重要组成部分,也是影响显示效果的关键组件。图1为现有技术中液晶显示面板的结构示意图,从图1中可以看出,所述显示面板包括彩色滤光片基板11、阵列基板12、以及设置在彩色滤光片基板11和阵列基板12之间的液晶层13;其中,所述彩色滤光片基板11上设置有隔垫物110,所述隔垫物110根据实际需要,其高度一般在2~3μm左右。所述隔垫物110的作用是维持盒厚,防止液晶受挤压变形而无法正常显示。现有技术中主要是采用光刻法制作隔垫物来维持盒厚,其制作方法是将隔垫物感光材料涂布于彩色滤光片表面,经过曝光、显影工艺制作出隔垫物。目前制备隔垫物技术中,通常需要经过灰度掩膜板或半透过掩膜板曝光来实现光刻胶的图像化,其中所述光刻胶的主要成分为树脂,而由于树脂的硬度较低,故制得的隔垫物容易碎裂;碎裂的隔垫物无法起到支撑作用,使得周围的液晶受挤压变形,变形的液晶分子的无法正常进行旋转,最终导致液晶显示器的显示效果不良,甚至无法正常显示。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法和显示面板,用以解决现有技术中因隔垫物破损导致的不良显示问题,提高液晶显示装置的显示效果。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法,所述方法包括:

在衬底基板上形成包括扫描线和栅极的图形;

在所述包括扫描线和栅极的图形的上方形成栅绝缘层;

在所述栅绝缘层的上方形成半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和金属薄膜,通过构图工艺形成包括有源层、数据线和隔垫物基材的图形;

在所述包括有源层、数据线和隔垫物基材的图形的上方形成钝化层;

利用干法刻蚀法,在隔垫物基材的上方、需要设置隔垫物的位置对钝化层进行刻蚀,形成过孔,通过过孔中暴露的隔垫物基材与刻蚀过程中使用的刻蚀设备反应腔内的刻蚀气体形成的电场,牵引反应腔内刻蚀过程中产生的组分沉积到所述隔垫物基材表面,生成隔垫物。

所述制作阵列基板的方法中,利用干法刻蚀法,在隔垫物基材的上方、需要制作隔垫物的位置对钝化层进行刻蚀,形成过孔,当刻蚀到隔垫物基材的表面时,隔垫物基材与反应腔内的刻蚀气体形成电场,在该电场的作用下,刻蚀过程中产生的组分沉积到隔垫物基材的表面,生成隔垫物,由于通过这种方式生成的隔垫物相对由树脂材料形成的隔垫物具有硬度大、不易碎裂等优点,因此通过该方法生成的隔垫物能够有效解决因液晶分子受挤压变形而导致的无法显示的问题,从而提高了画面显示质量,增强了液晶显示器的显示效果,提高了用户感受。

较佳的,在干法刻蚀过程中,利用包括六氟化硫、氯气和氧气的刻蚀气体对钝化层进行刻蚀,由于所述刻蚀气体中包括氧气,使用所述刻蚀气体能够提高刻蚀速率和刻蚀均匀性。

较佳的,在生成隔垫物的过程中,反应腔内温度为30℃~50摄氏度℃,压强为50~70帕,所述刻蚀气体中六氟化硫气体流量为50~200毫升每分sccm,氧气的气体流量为100~300sccm,氦气的气体流量为50~100sccm,氯气的气体流量为10~50sccm,等离子刻蚀设备施加的功率为5000~9000瓦,此时所述反应腔内的环境最适于隔垫物的生长,在该条件下,所述隔垫物的生长速度为150~250埃米/秒。

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