[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示面板有效
申请号: | 201310311647.1 | 申请日: | 2013-07-23 |
公开(公告)号: | CN103412444A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 郭建;刘建涛 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1339 | 分类号: | G02F1/1339;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上形成包括扫描线和栅极的图形;
在所述包括扫描线和栅极的图形的上方形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层的上方形成半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和金属薄膜,通过构图工艺形成包括有源层、数据线和隔垫物基材的图形;
在所述包括有源层、数据线和隔垫物基材的图形的上方形成钝化层;
利用干法刻蚀法,在隔垫物基材的上方、需要设置隔垫物的位置对钝化层进行刻蚀,形成过孔,通过过孔中暴露的隔垫物基材与刻蚀过程中使用的刻蚀设备反应腔内的刻蚀气体形成的电场,牵引反应腔内刻蚀过程中产生的组分沉积到所述隔垫物基材表面,生成隔垫物。
2.如权利要求1所述方法,其特征在于,在干法刻蚀过程中,利用包括六氟化硫、氯气和氧气的刻蚀气体对钝化层进行刻蚀。
3.如权利要求1所述方法,其特征在于,在生成隔垫物的过程中,反应腔内温度为30℃~50摄氏度℃,压强为50~70帕,所述刻蚀气体中六氟化硫气体流量为50~200毫升每分sccm,氧气的气体流量为100~300sccm,氦气的气体流量为50~100sccm,氯气的气体流量为10~50sccm,等离子刻蚀设备施加的功率为5000~9000瓦。
4.一种利用权利要求1所述方法制作的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底基板、扫描线、栅极、栅绝缘层、有源层、数据线、隔垫物基材、钝化层、隔垫物和过孔;其中,
所述扫描线和栅极同层设置,位于所述衬底基板的上方;
所述栅绝缘层位于所述扫描线和栅极的上方;
所述有源层位于所述栅绝缘层的上方;
所述数据线和隔垫物基材同层设置,位于所述有源层的上方;
所述钝化层位于所述数据线和隔垫物基材所在层的上方;
所述过孔贯穿钝化层,且位于所述隔垫物基材的上方、需要设置隔垫物的位置;
所述隔垫物位于所述过孔的内部、隔垫物基材的上方。
5.如权利要求4所述阵列基板,其特征在于,所述隔垫物的组成材料包括氯化硅。
6.如权利要求4所述阵列基板,其特征在于,所述隔垫物为柱状隔垫物。
7.如权利要求4所述阵列基板,其特征在于,所述隔垫物基材与数据线的制作材料相同。
8.如权利要求4所述阵列基板,其特征在于,所述隔垫物基材与数据线平行设置,或者所述隔垫物基材与数据线交叉设置。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求4~8任一权项所述的阵列基板。
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