[发明专利]使用封装的硅切换功率传递的系统和方法有效
| 申请号: | 201310309111.6 | 申请日: | 2007-05-09 |
| 公开(公告)号: | CN103441756A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
| 发明(设计)人: | 刘·G·蔡-奥安;托马斯·R·汤姆斯;博利斯·季米特诺夫·安德烈亚夫;贾斯汀·约瑟夫·罗森·加涅;施春蕾 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 封装 切换 功率 传递 系统 方法 | ||
1.一种集成电路,其包括:
封装,其包含第一封装-衬底连接、第二封装-衬底连接以及将所述第一封装-衬底连接耦合到所述第二封装-衬底连接的金属化件,其中所述封装为倒装芯片封装;以及
衬底,其经由所述第一封装-衬底连接和所述第二封装-衬底连接以电和物理形式耦合到所述封装,所述衬底包括多个功率域和一功率控制单元,所述封装的所述第二封装-衬底连接耦合到所述多个功率域中的特定功率域,所述功率控制单元包括逻辑和开关,所述开关包含耦合到电压供应端子的第一端子、耦合到所述逻辑的控制端子以及耦合到所述封装的所述第一封装-衬底连接的第二端子,所述逻辑经配置以选择性启动所述开关以经由所述封装的所述金属化件向所述特定功率域分配功率,其中所述衬底囊封在所述封装中。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述特定功率域包括嵌入在所述衬底中的处理单元。
3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述开关经定尺寸以满足所述处理单元的峰值要求。
4.根据权利要求3所述的集成电路,其中所述处理单元的所述峰值要求小于峰值功率密度乘以所述处理单元的衬底面积。
5.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述功率控制单元适合产生电流斜坡以对与所述特定功率域相关联的电容进行充电。
6.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述逻辑适合产生上电复位信号以复位所述特定功率域。
7.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述特定功率域进一步包括箝位电路以将输出从所述特定功率域箝位到已知的逻辑状态,其中所述功率控制单元产生输出箝位信号以启动所述箝位电路。
8.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述电压供应端子包括第二封装的输出端子。
9.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述衬底进一步包括电迹线,所述电迹线耦合到所述第二端子和所述特定功率域的电组件以经由与所述封装的所述金属化件平行的所述电迹线向所述电组件分配功率。
10.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述开关经配置以供应小于所述多个功率域的最大负载之和的最大单位负载。
11.一种方法,其包括:
在嵌入衬底中的开关的控制端子处接收开关启动信号,所述衬底包含多个域,其中所述开关位于所述多个域中的第一域中;
响应于接收到所述开关启动信号将信号切换到封装的耦合到所述衬底的所述开关的第一封装-衬底连接,其中所述封装为囊封所述衬底的倒装芯片封装;以及
经由所述封装的金属化件在所述多个域中的第二域处从所述封装的第二封装-衬底连接接收所述信号。
12.根据权利要求11所述的方法,其中接收开关启动信号包括在所述开关的所述控制端子处从功率控制逻辑接收控制信号。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一封装-衬底连接和所述第二封装-衬底连接耦合到凸块,且其中所述封装包括通过所述凸块以物理和电形式耦合到所述衬底的倒装芯片封装。
14.根据权利要求11所述的方法,其中切换所述特定信号包括经由所述封装的金属化件将所述开关的端子选择性耦合到所述封装的所述第一封装-衬底连接以路由所述信号。
15.根据权利要求11所述的方法,其中所述信号包括电源电压。
16.根据权利要求11所述的方法,其中所述第二域包含处理器。
17.一种硅切换功率传递系统,其包括:
用于在衬底的功率控制单元处从电压供应端子接收电源的装置;
用于接收控制信号的装置;
用于将所述电源从所述电压供应端子切换到倒装芯片封装的第一功率封装-衬底连接以经由所述封装的金属化件将功率从所述电压供应端子分配到所述衬底的局部化功率域的装置,其中所述倒装芯片封装包含所述第一功率封装-衬底连接和耦合到所述局部化功率域的第二功率封装-衬底连接,且其中所述倒装芯片封装囊封所述衬底。
18.根据权利要求17所述的硅切换功率传递系统,其中所述电压供应端子包括耦合到所述封装内的第一金属化件的第三封装-衬底连接,所述第一金属化件耦合到功率管理器集成电路。
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