[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，具有：

基板；

栅电极，其设置在所述基板上；

栅极绝缘膜，其以覆盖所述栅电极的方式设置在所述基板上，随着所述栅电极的表面形状而具有凸部，具有高度沿着从所述栅电极的周缘升起的形状而变化的层差部；

氧化物半导体层，其以具有晶体管构成用区域和覆盖区域的方式设置在所述栅极绝缘膜上，所述晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，所述覆盖区域是与所述晶体管构成用区域分离并覆盖所述栅极绝缘膜的所述层差部的区域；

沟道保护层，其设置在所述氧化物半导体层的所述沟道区域上；

源电极以及漏电极，其分别与所述氧化物半导体层的所述源极区域以及所述漏极区域接触地设置；以及

钝化层，其设置在所述源电极以及所述漏电极上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还具有：

与所述栅电极连接的栅极布线；

与所述源电极连接的源极布线；以及

与所述漏电极连接的漏极布线，

所述栅极绝缘膜，以覆盖所述栅极布线的方式设置在所述基板上，随着所述栅极布线的表面形状而具有第2凸部，具有高度沿着从所述栅极布线的周缘升起的形状而变化的第2层差部，

所述源极布线以及所述漏极布线的至少一方，隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极布线立体地交叉，

所述氧化物半导体层包含以覆盖所述第2层差部的与所述源极布线以及所述漏极布线的所述至少一方重叠的区域的方式、与所述晶体管构成用区域分离的第2覆盖区域。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述氧化物半导体层形成为所述晶体管构成用区域以及所述覆盖区域的厚度相同。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

所述氧化物半导体层形成为所述晶体管构成用区域、所述覆盖区域以及所述第2覆盖区域的厚度相同。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述氧化物半导体层由选自In-Ga-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Zn-O系、In-Sn-O系、Zn-O系以及Sn-O系中的一种氧化物半导体形成。

6.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：

以如下方式在基板上形成栅极绝缘膜的工序：覆盖设置在所述基板上的栅电极、随着所述栅电极的表面形状而具有凸部、具有高度沿着从所述栅电极的周缘升起的形状而变化的层差部；

以如下方式在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层的工序：具有晶体管构成用区域和覆盖区域，所述晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域，所述覆盖区域是与所述晶体管构成用区域分离并覆盖所述栅极绝缘膜的所述层差部的区域；

在所述氧化物半导体层上形成保护层的工序；

以如下方式使所述保护层图案化的工序：对所述保护层以及所述栅极绝缘膜进行蚀刻，通过所述氧化物半导体层作为阻止蚀刻层发挥作用的蚀刻，在所述氧化物半导体层的所述沟道区域上留下一部分作为沟道保护层；

以如下方式形成源电极以及漏电极的工序：使所述源电极以及所述漏电极分别与所述氧化物半导体层的所述源极区域以及所述漏极区域接触；以及

在所述源电极以及所述漏电极上形成钝化层的工序。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述基板上以与所述栅电极连接的方式形成栅极布线，

所述栅极绝缘膜形成为覆盖所述栅极布线、随着所述栅极布线的表面形状而具有第2凸部，且具有高度沿着从所述栅极布线的周缘升起的形状而变化的第2层差部，

在所述栅极绝缘膜上以与所述源电极连接的方式形成源极布线，

在所述栅极绝缘膜上以与所述漏电极连接的方式形成漏极布线，

所述源极布线以及所述漏极布线的至少一方形成为隔着所述栅极绝缘膜与所述栅极布线立体地交叉，

所述氧化物半导体层形成为具有第2覆盖区域，所述第2覆盖区域以将所述第2层差部的与所述源极布线以及所述漏极布线的所述至少一方重叠的区域覆盖的方式与所述晶体管构成用区域分离。