[发明专利]抗蚀剂剥离剂

说明书

技术领域

本发明涉及抗蚀剂清洁技术领域，尤其涉及一种用于去除照相平板印刷法中所用抗蚀膜的剥离剂组合物。

背景技术

通常，光致抗蚀膜是在照相平版印刷工艺中必不可少的物质，而照相平版印刷工艺一般应用于集成电路(integrated circuit，IC)、大规模集成电路(large scale integration，LSI)、超大规模集成电路(very large scale integration，VLSI)等半导体装置和液晶显示器、平板显示器等图像显示装置的制造。例如，半导体装置是在硅芯片等无机基板上形成光致抗蚀膜，利用掩模对所述光致抗蚀膜层进行曝光后，进行显影处理，从而形成光致抗蚀图案。对所述光致抗蚀图案进行蚀刻及扩散处理后，把所述光致抗蚀图案膜从无机基板剥离去除，从而制成半导体装置。

在进行照相平板印刷工艺之后，光之抗蚀膜需要在高温下被剥离溶液去除，但是在此过程中存在下部金属膜可能过快地被剥离溶液腐蚀的问题。

由于所述抗蚀膜剥离溶液，存在金属布线的腐蚀程度加快的问题。为了解决上述问题，人们大力研究用于防止金属布线腐蚀的抗蚀膜剥离溶液的制备方法。

通常的方法是在酰胺和有机胺的混合物中添加防蚀剂，将所述混合物作为抗蚀膜剥离溶液来防止金属布线中金属的腐蚀，此方法指出了有机胺优选使用单乙醇胺。另外，指出了防蚀剂的适当用量，以及如果超过适当用量时，所述光致抗蚀膜膜的剥离效果将会降低。

发明内容

本发明鉴于上述问题而作，其目的在于提供一种在剥离用于布图电子电路或显示元件金属布线的抗蚀膜的过程中，不腐蚀金属布线，且具有优秀的抗蚀膜剥离性的抗蚀膜剥离剂组合物。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种光致抗蚀膜剥离剂组合物，其包括有机胺，二甘醇单烷基醚，非质子极性溶剂N，N-二甲基乙酰胺，缓蚀剂和水。

其中，所述有机胺10重量份～50重量份，所述二甘醇单烷基醚40重量份～80重量份，所述非质子极性溶剂N，N-二甲基乙酰胺10重量份～25重量份，所述缓蚀剂20重量份～28重量份，所述水20重量份～30重量份。

其中，所述的有机胺为单乙醇胺、乙二胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、羟乙基乙二胺、二乙醇胺、氨基双丙胺、2-甲氨基乙醇、三乙氨基乙醇。

其中，所述二甘醇单烷基醚为通式HOCH₂CH₂-O-CH₂CH₂-O-R₁表示的结构，其中，R₁是碳原子数为1-8的烷基。

其中，所述缓蚀剂由六亚甲基四胺、1,4-丁炔二醇、十二烷基苯磺酸钠、咪唑和水。

其中，所述缓蚀剂中各组分的重量百分比分别为六亚甲基四胺10%、1,4-丁炔二醇8%、十二烷基苯磺酸钠0.6%、咪唑0.4%和81%水。

其中，所述缓蚀剂的制备方法具体为：

将六亚甲基四胺、1,4-丁炔二醇、十二烷基苯磺酸钠、咪唑和水按照重量百分比混合，搅拌3～5小时，获得缓蚀剂。

本发明的有益效果:

本发明提供的抗蚀膜剥离剂组合物在剥离用于布图电子电路或显示元件金属布线的抗蚀膜的过程中，不腐蚀金属布线，且具有优秀的抗蚀膜剥离性。

具体实施方式

本发明提供了一种光致抗蚀膜剥离剂组合物，其包括有机胺10重量份～50重量份，二甘醇单烷基醚40重量份～80重量份，非质子极性溶剂N，N-二甲基乙酰胺10重量份～25重量份，缓蚀剂20重量份～28重量份，水20重量份～30重量份。

所述的有机胺可以利用一级脂肪胺、二级脂肪胺、三级脂肪胺等，它们可以单独使用或一种以上混合使用。所述的一级脂肪胺有单乙醇胺、乙二胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、羟乙基乙二胺等。所述的二级脂肪胺有二乙醇胺、氨基双丙胺、2-甲氨基乙醇等。所述的三级脂肪胺有三乙氨基乙醇。所述的有机胺类中优选使用单乙醇胺。所述有机胺的使用量为10重量份～50重量份，如果其含量小于10重量份，会导致抗蚀剂的剥离性能降低，如果其含量大于50重量份，会严重腐蚀金属。所述胺化合物为强碱性物质，其强有力地渗透到在干法蚀刻或者湿法蚀刻、灰化或者离子注入工艺等各种工序条件下变质而交联的抗蚀膜的高分子母体中，并破坏分子内或者分子间的引力。所述胺化合物的作用是，其在残留于基板上的抗蚀膜中结构脆弱的部分里形成空间，以便将抗蚀膜改变为非结晶高分子凝胶块，从而能够易于剥离附着在基板上的抗蚀膜。