[发明专利]多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器

说明书

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器。

背景技术

多层瓷介电容器由于其体积小、损耗低、可靠性高等优点广泛应用于各个领域，是铝电解、钽电解等电解电容器较好替代品。但由于制造工艺水平的限制，产品尺寸很难做大，导致单只产品的电容量相对电解电容器没有优势。

为了提高多层瓷介电容器的电容量，目前，较多的做法是将多只陶瓷电容器芯片进行水平或垂直堆叠，焊接各种引出端，不包封或者采用模压包封。如CN201984955U、CN102592823A、CN202695133U、CN201984956U、CN202633053U等。这样做存在的问题是多只芯片之间互相接触，导致在焊接引出端的过程中很容易产生应力，并最终会影响产品的安装以及使用。

因此，当下需要迫切解决的一个技术问题就是：如何能够创新的提出一种有效的措施，以解决现有技术存在的问题，满足实际应用的更多需求。

发明内容

针对上述问题中存在的不足之外，本发明提供一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器，具有较强的耐机械应力以及热应力。

为了解决上述问题，本发明提供一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器，包括：引出线（1）、基板（2）、瓷介电容器芯片（3）、基板上的金属化过孔（4）和铜箔（5），其中，所述瓷介电容器芯片（3）包括多个芯片，所述基板（2）上平行涂覆两条平行的铜箔（5），所述瓷介电容器芯片（3）等距垂直排列在基板（2）上，基板（2）两面的电容器芯片（3）通过金属化过孔（4）相连，引出线（1）采用CP线，引出线（1）一段垂直弯曲一部分，以勾住基板的金属化过孔（4），弯曲部分往下一部分引线直接焊接在铜箔（5）上，所述瓷介电容器芯片（3）、引出线（1）与基板（2）套上外壳，并灌封进导热硅胶，最后使用外壳盖封住灌封料。

进一步的，所述基板为PCB板或铝基板。

进一步的，所述基板下端采用拱形结构。

进一步的，所述基板和引出线采用塑料外壳封装在一起。

进一步的，所述基板和引出线采用金属外壳封装在一起。

进一步的，使用导热硅胶对所述塑料外壳内部的空隙进行填充。

进一步的，使用导热硅胶对所述金属外壳内部的空隙进行填充。

进一步的，所述基板采用双面形式。

进一步的，所述瓷介电容器芯片（3）的多个芯片采用并联形式连接。

综上，本方案中采用双面并排焊接的形式，可以在较小的空间内并联更多的电容器，因此，可以实现小体积大容量的目的，同时，电容器芯片均匀焊接在基板上，芯片之间相互不接触，可以消除制造、安装、使用过程中因温度或者变形而产生的机械应力，且，基板采用拱形结构，使基板能够承受重量较大或者数量较多的芯片，并能提高机械强度，此外，采用导热硅胶进行内部灌封，既可以进行有效的散热，也能够预防潮气进入电容器内部。

附图说明

图1是本发明的多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器的流程示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图与实例对本发明作进一步详细说明。但所举实例不作为对本发明的限定。

如图1所示，本发明提供一种多个芯片组成的有引线大容量多层瓷介电容器的流程示意图，包括引出线（1）、基板（2）、瓷介电容器芯片（3）、基板上的金属化过孔（4）和铜箔（5），其中，所述瓷介电容器芯片（3）包括多个芯片，所述基板（2）上平行涂覆两条平行的铜箔（5），所述瓷介电容器芯片（3）等距垂直排列在基板（2）上，基板（2）两面的电容器芯片（3）通过金属化过孔（4）相连，引出线（1）采用CP线，引出线（1）一段垂直弯曲一部分，以勾住基板的金属化过孔（4），弯曲部分往下一部分引线直接焊接在铜箔（5）上，所述瓷介电容器芯片（3）、引出线（1）与基板（2）套上外壳，并灌封进导热硅胶，最后使用外壳盖封住灌封料。

基板采用双面形式，每面基板上涂覆两条平行的铜箔，并在基板端部沿基板宽度方向延长；基板下方采用拱形结构；瓷介电容器芯片等距垂直排列在基板上，基板两面的电容器通过金属化过孔相连；引出线采用CP线，引出线一段垂直弯曲一部分，以勾住基板的金属化过孔。弯曲部分往下一部分引线直接焊接在基板的覆铜箔上。将焊接好的芯片、引出线与基板套上外壳，并灌封进导热硅胶，最后使用外壳盖封住灌封料。