[发明专利]提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法有效
申请号: | 201310304004.4 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103361710A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 杨万民;杨志娟;李佳伟;车晓燕 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | C30B1/10 | 分类号: | C30B1/10;C30B29/22;C04B35/45 |
代理公司: | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人: | 高雪霞 |
地址: | 710062 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 单畴钇钡铜氧 超导 制备 效率 方法 | ||
1.一种提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法,其特征在于它由下述步骤组成:
(1)配制固相先驱粉
将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:1.0~2.0:1.0~2.0球磨混合均匀,作为固相先驱粉;
(2)配制液相先驱粉
将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:10:16球磨混合均匀,作为液相先驱粉;
(3)压制固相先驱块和液相先驱块
向固相先驱粉和液相先驱粉中分别加入其质量3.75%~5%的去离子水,各自混合均匀,液相先驱粉与固相先驱粉的质量比为1:0.3~0.5,分别压制成圆柱体状的固相先驱块和液相先驱块,固相先驱块的直径不大于液相先驱块的直径;
(4)压制支撑块
将Yb2O3压制成直径不小于液相先驱块直径的圆柱体状支撑块;
(5)装配坯体
在Al2O3垫片上表面从下至上依次放置MgO单晶、支撑块、液相先驱块、固相先驱块、钕钡铜氧籽晶,装配成坯体;
(6)顶部籽晶金属氧化物熔渗生长单畴钇钡铜氧块材
将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时80~110℃的升温速率升温至910℃,保温5~24小时,再以每小时80~130℃的升温速率升温至1038~1048℃,保温1~2小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1012~1018℃,以每小时0.5~1℃的降温速率慢冷至1008~1010℃,以每小时0.1~0.5℃的降温速率慢冷至980~990℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材;
(7)渗氧处理
将单畴钇钡铜氧块材置于管式炉中,在流通氧气气氛、440~410℃的温区中慢冷200小时,得到单畴钇钡铜氧超导块材。
2.根据权利要求1所述的提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法,其特征在于:所述的配制固相先驱粉步骤(1)中,将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:1.4:1.4球磨混合均匀,作为固相先驱粉。
3.根据权利要求1所述的提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法,其特征在于:所述的压制固相先驱块和液相先驱块步骤(3)中,向固相先驱粉和液相先驱粉中分别加入其质量4%的去离子水,各自混合均匀,液相先驱粉与固相先驱粉的质量比为1:0.42,分别压制成圆柱体状的固相先驱块和液相先驱块,固相先驱块的直径小于液相先驱块的直径。
4.根据权利要求1所述的提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法,其特征在于:所述的顶部籽晶金属氧化物熔渗生长单畴钇钡铜氧块材步骤(6)中,将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时100℃的升温速率升温至910℃,保温15小时,再以每小时130℃的升温速率升温至1045℃,保温2小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1012℃,以每小时1℃的降温速率慢冷至1008℃,以每小时0.2℃的降温速率慢冷至985℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材。
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