[发明专利]一种电压峰值锁定电路有效

专利信息
申请号: 201310301536.2 申请日: 2013-07-18
公开(公告)号: CN103414329A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 方健;谷洪波;王贺龙;彭宜建;贾姚瑶;程春云 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李顺德;王睿
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 电压 峰值 锁定 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路技术,具体的说是涉及一种带去除电压初始尖峰的电压峰值锁定保存电路。 

背景技术

在开关电源中经常需要跟踪电压信号,检测电压峰值并将其锁定保存,供后续运算模块使用,并同时将其优化后输入到PWM/PFC比较器模块中作为比较值。在开关电源的工作过程中,当开关管导通,初级绕组上的电流会从零开始线性增加直至达到峰值。通过在功率管的源端和地之间串联一个小电阻可以简单的取得这个电流的波形,从而转化成电压进行采样。但是由于在实际应用中的功率开关管的宽长比非常大,所以往往具有几个纳法的栅极电容。当栅端的信号由低变高使开关管导通时,这个变化也会通过栅源之间的电容传输到功率开关管的源端,会在初始时刻产生一个电压尖峰。而这个电压尖峰会造成内部逻辑电路的紊乱,使电路系统无法正常工作,本发明正是为了去除这个尖峰电压,并锁定保存所需要的电压。 

现有的一种电压锁定电路如图1所示,包括输入电压Vin,输出电压Vout,NMOS差分对管NM1和NM2,电流镜像管PM1、PM2和PM3,输出NMOS管NM3,电阻R,电容C,尾电流源ISS,电源电压VDD,接地端GND。该电路通过对电容C充电来取得输入电压的峰值,当输入电压Vin上升时,第三NMOS管NM3漏电流对电容C充电,抬高输出电压Vout使其与Vin相等,而当Vin下降时,Vout并不能跟随变化。并且当输入电压Vin产生一个尖峰电压时,该电路只会锁定其尖峰电压的峰值电压,而这个尖峰电压的峰值电压并不是需要的,基于以上原因,本发明提出了一种结构新颖的电压锁定电路。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题,就是针对上述问题,提出一种电压峰值锁定电路。 

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种电压峰值锁定电路,其特征在于,包括延时电路、控制电路和电压锁定电路,所述延时电路包括两个输入端并分别与第一输入信号Vin和第二输入信号Vcontrol连接、输出端与控制电路的第一输入端连接,所述控制电路的第二输入端与第二输入信号Vcontrol连接、输出端与电压锁定电路的输入端连接,所述电压锁定电路的输出端输出电压峰值锁定电路的输出信号Vout。 

具体的,所述延时电路包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1、第一偏置电流源Ibias和第一电容C1,所述控制电路包括第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第一反向器INV1、第二反向器INV2、第一或非门NOR1和第二或非门NOR2,所述电压锁定电路包括第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第一电阻R1、第二电容C2和运算放大器AMP; 

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