[发明专利]一种择优取向氯化铵薄膜无效
申请号: | 201310301216.7 | 申请日: | 2013-09-19 |
公开(公告)号: | CN103449841A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 刘科高;李静;孙齐磊;石磊;许斌 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | C04B41/50 | 分类号: | C04B41/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 择优取向 氯化铵 薄膜 | ||
1.一种择优取向氯化铵薄膜,其特征为沿(110)晶面生长,由如下顺序的步骤得到:
a.硅基片的清洗;
b.将2.0~5.0份金属氯化物、放入30~100份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合;
c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;
d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至150~200℃之间,保温时间10~24小时,然后冷却到室温取出;
e.将步骤d所得产物,进行自然干燥,得到沿择优取向(110)晶面生长的氯化铵薄膜。
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