[发明专利]一种择优取向氯化铵薄膜无效

专利信息
申请号: 201310301216.7 申请日: 2013-09-19
公开(公告)号: CN103449841A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 刘科高;李静;孙齐磊;石磊;许斌 申请(专利权)人: 山东建筑大学
主分类号: C04B41/50 分类号: C04B41/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250101 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 择优取向 氯化铵 薄膜
【权利要求书】:

1.一种择优取向氯化铵薄膜,其特征为沿(110)晶面生长,由如下顺序的步骤得到:

a.硅基片的清洗;

b.将2.0~5.0份金属氯化物、放入30~100份的溶剂中,使溶液中的物质均匀混合;

c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品;

d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至150~200℃之间,保温时间10~24小时,然后冷却到室温取出;

e.将步骤d所得产物,进行自然干燥,得到沿择优取向(110)晶面生长的氯化铵薄膜。

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