[发明专利]静电放电保护结构

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于包括：

基底；

接点区，位于所述基底中；

第一金属氧化物半导体元件，位于所述基底上，包括具有第一导电型的第一漏极区；

第二金属氧化物半导体元件，位于所述基底上，包括具有所述第一导电型的一第二漏极区，其中所述第一漏极区较所述第二漏极区接近所述接点区；

第一掺杂区，具有第二导电型，位于所述第一漏极区下方；以及

第二掺杂区，具有所述第二导电型，位于所述第二漏极区下方，其中所述第一掺杂区的面积大于所述第二掺杂区的面积。

2.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其中所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型。

3.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其中所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。

4.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其中所述第一金属氧化物半导体元件与所述第二金属氧化物半导体元件为并列成手指状金属氧化物半导体元件。

5.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其中所述第一金属氧化物半导体元件与所述第二金属氧化物半导体元件为棋格状金属氧化物半导体元件。

6.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其中所述接点区为环状，所述第一金属氧化物半导体元件与所述第二金属氧化物半导体元件位于所述接点区所围的区域之内。

7.一种静电放电保护结构，其特征在于包括：

基底；

接点区，位于所述基底中；

多个金属氧化物半导体元件，位于所述基底上，分别具有第一导电型的漏极区；

多个掺杂区，具有第二导电型且分别位于各个金属氧化物半导体元件的所述漏极区下方，

其中自远离所述接点区的所述掺杂区至接近所述接点区的所述掺杂区的面积逐渐递增。

8.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其中所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型。

9.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其中所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。

10.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其中这些金属氧化物半导体元件为并列成手指状金属氧化物半导体元件。

11.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其中这些金属氧化物半导体元件为棋格状金属氧化物半导体元件。

12.如权利要求7所述的静电放电保护结构，其中所述接点区为环状，这些金属氧化物半导体元件位于所述接点区所围的区域之内。

13.一种静电放电保护结构，其特征在于包括：

基底；

接点区，位于所述基底中；

第一金属氧化物半导体元件，位于所述基底上，包括具有第一导电型的第一漏极区；

第二金属氧化物半导体元件，位于所述基底上，包括具有所述第一导电型的一第二漏极区，其中所述第一漏极区较所述第二漏极区接近所述接点区；

第一掺杂区，具有第二导电型，位于所述第一漏极区下方；以及

第二掺杂区，具有所述第二导电型，位于所述第二漏极区下方，其中所述第一掺杂区的面积、掺杂浓度或两者大于所述第二掺杂区的面积、掺杂浓度或两者，

其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区配置于所述基底中，且所述第一掺杂区的掺杂浓度及所述第二掺杂区的掺杂浓度不同于围绕所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的所述基底的掺杂浓度。