[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

多个水平电极，竖直地堆叠在基板上；

多个第一绝缘层，每个第一绝缘层设置在所述多个水平电极中的相应的一对水平电极之间；

多个第二绝缘层，每个第二绝缘层设置在所述多个第一绝缘层中的相应的一对第一绝缘层之间并与所述多个水平电极中的相应的一个水平电极设置在同一竖直平面；

接触结构，贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，

其中，接触结构与第一绝缘层和第二绝缘层接触。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第二绝缘层与所述多个第一绝缘层中的相应的一对第一绝缘层接触。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第二绝缘层具有相对于所述多个第一绝缘层的蚀刻选择性。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多个第一绝缘层包括硅氧化物层，所述多个第二绝缘层包括硅氮化物层、硅氮氧化物层或多晶硅层。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，接触结构包括金属层、金属硅化物层或导电金属氮化物层。

6.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括设置在基板中的第一导电区域，其中，接触结构连接到第一导电区域。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，第一导电区域与基板具有相同导电类型的杂质，并且第一导电区域的杂质浓度比基板的杂质浓度大。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其中，第一导电区域为金属层、金属-金属硅化物层和导电金属氮化物层中的至少一种。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，接触结构包括彼此分隔开并沿所述多个第二绝缘层延伸所沿的方向布置的多个接触塞。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，接触结构是线形状的，其中，接触结构与基板接触并沿所述第二绝缘层延伸所沿的方向延伸。

11.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括贯穿电极结构的多个分离层，其中，所述多个水平电极在所述多个分离层之间水平地分离，其中，所述多个分离层沿所述多个第二绝缘层延伸所沿的方向延伸。

12.如权利要求11所述的半导体装置，所述半导体装置还包括设置在基板中的多个共源线，其中，所述多个共源线中的每个共源线与所述多个分离层中的相应的一个分离层叠置。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述分离层包括第一分离层和第二分离层，其中，所述多个第二绝缘层设置在第一分离层和第二分离层之间，并且

其中，第一分离层和第二绝缘层之间的距离与第二分离层和第二绝缘层之间的距离基本相同。

14.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述多个分离层将所述多个第一绝缘层水平地分成第一多个子介电层和第二多个子介电层，其中，所述多个第二绝缘层填充第一多个子介电层中的相对应的一对子介电层之间的区域的一部分，所述多个水平电极填充所述区域的剩余部分。

15.如权利要求14所述的半导体装置，其中，第一多个子介电层的宽度比第二多个子介电层的宽度大。

16.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第二绝缘层均具有围绕接触结构的侧壁的环状结构。

17.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括：

单元柱，贯穿所述多个水平电极和所述多个第一绝缘层；以及

多个存储元件，插入在单元柱和所述多个水平电极之间。

18.如权利要求17所述的半导体装置，其中，所述多个水平电极部分地插入在单元柱和所述多个第二绝缘层之间。

19.如权利要求17所述的半导体装置，其中，所述多个水平电极围绕单元柱的侧壁。

20.如权利要求17所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

接触连接线，设置在接触结构上、沿第二绝缘层延伸所沿的方向延伸，其中，接触连接线电连接到接触结构。