[发明专利]一种提高发光亮度的LED倒装结构

说明书

 

技术领域

    本发明涉及半导体元件结构设计领域，更具体的说，涉及一种提高发光亮度的LED倒装结构。

 

背景技术

    现有半导体LED flip chip（倒装）制程，受限于材料基底材质及蓝宝石层片厚度，无法更有效将量子阱层的发光更有效的导出。

     

发明内容

本发明为解决上述技术问题，提供一种提高发光亮度的LED倒装结构，该结构设计灵活，可有效提高发光效率。

    为达到上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

   一种提高发光亮度的LED倒装结构，包括蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面以键合方式，增加一导光层。

   所述导光层为蓝宝石。

   所述在蓝宝石衬底表面键合导光层的键合层是含铟金属的氧化物或非氧化物。

   所述导光层上可制成有利于提高光取出效率的多种图形。

   所述导光层的厚度根据所需的不同发光角度设定。

   本发明所带来的有益效果如下：

   1 提高发光效率。

   2 解决现有倒装结构因GaN表面(正面)制程后，因表面已有制程图案，在晶圆倒装后，无法对倒装后的蓝宝石面进行如PSS之制程。

   3 可依据所需之不同发光角度，键合不同厚度的导光层。

   4 导光层可为不同于蓝宝石衬底之材质，增加设计上的弹性。

   5、键合的导光层可单独进行制程，利于制做出可提高光取出效率的图形。

 

附图说明

图1是现有的倒装制程晶粒结构图；

图2是本发明所公开的倒装制程晶粒的结构示意图；

图3是本发明所公开的倒装制程晶粒实施例一的结构示意图；

图4是本发明所公开的倒装制程晶粒实施例二的结构示意图。

           

具体实施方式

以下通过附图和具体实施例对本发明所提供的设计方法做一详细的描述。

图1是现有的倒装制程晶粒结构图，图中从下往上依次是 p-GaN层1、量子阱层MQW 2、n-GaN层3、蓝宝石衬底层4。该结构无法将量子阱层的发光有效的导出。

图2是本发明所公开的倒装制程晶粒的结构示意图，该结构在图1所示的现有结构的蓝宝石衬底层4上键合了一导光层5。键合层6为对发光器件波段穿透率高的材料，可为含铟(In)金属的氧化物或非氧化物，但不限于此。导光层5为蓝宝石或其它材质。导光层5的厚度可依据所需的不同发光角度来灵活设置。导光层5可单独进行制程，导光层5上可制作出有利于提高光取出效率的图形。

图3所示的本发明实施例一的结构，是在导光层5上制作PSS表面7。图4所示的本发明实施例二的结构，是在导光层5上制作的另一种有助于提升光取出效率的图形8。  

上述具体实施方式只是用于说明本发明，并不能用来限定本发明的保护范围。对于在本发明技术方案的思想指导下的变形和转换，都应该归于本发明保护范围以内。