[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面；

多个存储器单元，所述存储器单元每个均存在于所述半导体衬底的选择的区域中；以及

隔离区，所述隔离区位于与其为相邻关系的所述存储器单元之间，以在所述存储器单元之间提供隔离，

其中所述存储器单元的每一个具有位于所述半导体衬底的所述主表面上方的电荷存储膜，以及位于所述电荷存储膜上方的存储器栅极，

其中所述隔离区的上表面存在于所述半导体衬底的所述主表面下方的位置，

其中所述存储器单元的所述电荷存储膜和所述存储器栅极在所述隔离区上方延伸至相邻的存储器单元，并且

其中位于所述隔离区上方且没有存储电荷的所述电荷存储膜的区域的长度大于所述隔离区的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述电荷存储膜的位于所述隔离区上方的一部分具有向所述隔离区的所述上表面突出的结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述存储器栅极的位于所述隔离区上方的部分具有向所述隔离区的所述上表面突出的结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述存储器单元的每一个具有选择栅极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述选择栅极也在所述隔离区上方延伸。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述存储器栅极以面对所述选择栅极的方式存在。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述电荷存储膜也在所述存储器栅极的面对所述选择栅极的侧部上方延伸。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述存储器栅极和所述选择栅极每个均由多晶硅制成。

9.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述存储器单元在所述半导体衬底中以行和列布置，并且

其中所述存储器栅极和所述选择栅极在相同方向上延伸，以形成存储器单元阵列。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括：

扩散区，所述扩散区在与所述存储器栅极和所述选择栅极延伸的方向交叉的方向上延伸。

11.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述存储器单元的每一个都具有虚拟栅极。

12.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述存储器单元的每一个具有多个存储器栅极，所述选择栅极插入在所述多个存储器栅极之间。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述存储器单元的每一个是MONOS型。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述存储器单元的每一个是NROM。

15.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面；

多个存储器单元，所述存储器单元每个均存在于所述半导体衬底的选择的区域中；以及

隔离区，所述隔离区位于与其为相邻关系的所述存储器单元之间，以在所述存储器单元之间提供隔离，

其中所述存储器单元的每一个具有位于所述半导体衬底的所述主表面上方的电荷存储膜，以及位于所述电荷存储膜上方的存储器栅极，

其中所述隔离区的上表面存在于所述半导体衬底的所述主表面下方的位置，

其中所述存储器单元的所述电荷存储膜和所述存储器栅极在所述隔离区上方延伸至相邻的存储器单元，并且

其中所述电荷存储膜的位于所述隔离区上方的一部分向所述隔离区的所述上表面突出，

所述半导体器件进一步包括：

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜位于所述存储器单元的每一个的所述存储器栅极和所述电荷存储膜之间；以及

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜位于在所述隔离区上方的所述存储器栅极和所述电荷存储膜之间，

其中所述第二绝缘膜的厚度大于所述第一绝缘膜的厚度。