[发明专利]ITO 粉末及其制造方法、以及分散液和ITO 膜的制造方法有效
| 申请号： | 201310283707.3 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103693677B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 米泽岳洋;山崎和彦;竹之下爱 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 粉末 及其 制造 方法 以及 分散 | ||
【权利要求书】：
1.一种ITO粉末，其特征在于，
在附属于X射线衍射装置的试料座中填充试料即ITO粉末，并以2θ=15～90deg的范围照射X射线，并由所获得的衍射线来进行晶格常数、微晶尺寸、晶格应变的精密化的结果，所获得的晶格应变在0.2～0.8的范围内。
2.一种ITO粉末的制造方法，其特征在于，为权利要求1所述的ITO粉末的制造方法，所述ITO粉末的制造方法包括如下工序：
在3价铟化合物与锡化合物的混合水溶液中混合碱性水溶液来生成铟与锡的共沉淀氢氧化物；
以纯水或离子交换水清洗所述共沉淀氢氧化物；
去除所述共沉淀氢氧化物的上清液来制备分散有铟锡氢氧化物颗粒的浆料；
干燥所述浆料；及
烧成所述干燥的铟锡氢氧化物来获得铟锡氧化物，
所述锡化合物为4价锡化合物与2价锡化合物的混合物，Sn4+:Sn2+的锡离子比在90:10～10:90的范围内。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，
所述4价锡化合物为SnCl4水溶液，所述2价锡化合物为SnCl2·2H2O粉末。
4.一种制造分散液的方法，其中，
将权利要求1所述的ITO粉末或通过权利要求2或3所述的方法制造出的ITO粉末分散于溶剂中来制造分散液。
5.一种制造ITO膜的方法，其中，
由权利要求4所述的分散液制造ITO膜。
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