[发明专利]多芯片系统和半导体封装

说明书

一种多芯片系统可以包括多个芯片和被所述多个芯片共用的通道。所述多个芯片中的至少一个芯片包括传输电路，所述传输电路被配置为将信号传输给通道。传输电路的驱动能力基于所述多个芯片的数量来调整。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年11月22日提交的韩国专利申请No.10-2012-0132958的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种包括多芯片的系统和一种半导体封装，更具体而言，涉及对多芯片系统中的共用通道上的信号特性的改进。

背景技术

近来，在大多数电子系统中用作存储器件的半导体存储器的容量和速度有增加的趋势。已经作出各种尝试来在更小尺寸的存储器中安装更大存储容量的具有有效驱动能力的存储器。

为了提高存储器的集成度，已经采用了层叠多个存储器芯片的三维（3D）布局来取代传统的二维（2D）布局。存储器芯片的3D布局可以成为一种解决方案来满足日益增长的减小存储器尺寸同时通过更大容量来实现更高集成度的需求。

TSV（穿通硅通孔）方案作为3D布局技术之一，已被用作一种替代方案来克服3D布局中的各种问题，诸如由于模块上的电路之间的距离所造成的传输速度下降以及窄数据带宽。根据TSV方案，将路径限定为穿通多个层叠的存储器芯片，并且存储器芯片经由所述路径和形成在所述路径中的电极来相互通信。

图1是示出说明包括多芯片的现有封装的图。

参见图1，在所述封装中，多个芯片110至140层叠，并且利用穿通层叠的芯片110至140的TSV而形成公共通道101。所述多个芯片110至140分别包括传输电路TX1至TX4和接收电路RX1至RX4。传输电路TX1至TX4经由通道101将输出信号或数据驱动至接收电路RX1至RX4。例如，芯片110的接收电路RX1可以接收由芯片140的传输电路TX4驱动至通道101的信号，芯片140的接收电路RX4可以接收由芯片110的传输电路TX1驱动至通道101的信号。

多芯片封装中层叠的芯片数量可以根据存储器设计而改变。通道101的长度和负载（取决于多芯片封装中所层叠的芯片数量）会影响通道101上的信号特性。

发明内容

本发明的示例性实施例旨在提供一种多芯片系统或多芯片封装，所述多芯片系统或多芯片封装能够防止多个芯片所共用的通道上的信号特性由于多芯片封装或多芯片系统中的芯片数量而改变。

根据本发明的一个实施例，一种多芯片系统可以包括多个芯片以及被所述多个芯片共用的通道。这里，所述多个芯片中的至少一个芯片包括传输电路，所述传输电路被配置为将信号传输给所述通道，其中，所述传输电路的驱动能力基于所述多个芯片的数量来调整。

根据本发明的另一个实施例，一种多芯片封装可以包括层叠的多个芯片以及被所述多个芯片共用的通道，其中，所述多个芯片中的至少一个芯片包括传输电路，所述传输电路被配置为将信号传输给所述通道，其中，所述传输电路的驱动能力基于所述多个芯片的数量来调整。

根据本发明的实施例，用于通道的芯片驱动能力根据多芯片系统中的共用通道的芯片的数量来调整，使得可以防止通道上的信号特性由于芯片的数量而改变。

附图说明

图1是说明包括多芯片的现有封装的图。

图2是说明根据本发明的一个实施例的多芯片封装的配置图。

图3是根据第一实施例的图2所示的详细配置图。

图4是根据第二实施例的图2所示的详细配置图。

图5是根据第三实施例的图2所示的详细配置图。