[发明专利]一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种复合反射电极、制备方法及具有该电极的有机电致发光器件。

背景技术

顶发射型OLED（Top-emitting Organic Light Emitting Device，简称 TOLED）是一种常见的有机电致发光器件结构，它的最大特点是光从器件的顶部射出。

典型的顶发射型OLED，阳极设置于底部、采用不透明的金属材料，阴极位于顶部、采用透明的金属材料，有机电致发光层置于两电极之间。当发光层发出光之后，射向下方的光会被底部的反射电极反射并从上方射出。因此，顶发射型OLED非常适用于有源矩阵技术，它能够很好地配合非透明的晶体管背板，提高AMOLED的开口率。

现有技术中，顶发射有机电致发光器件通常使用高反射率的金属薄膜作为底部反射电极。其中Ag薄膜具有高反射率、低电阻率的特点，是理想的反射电极材料。但是Ag薄膜很不稳定，容易受热以及空气中污染物的影响，导致反射率迅速恶化。因此在TOLED器件中无法实现实际使用。

为了提高Ag薄膜的热稳定性和空气储存稳定性，也有采用Ag合金薄膜作为底部反射电极的方式，但Ag合金薄膜通常比纯Ag薄膜具有较高的电阻率和较低的反射率，导致TOLED器件的性能降低。

现有技术中，常常采用在Ag薄膜上覆盖一层保护层。常用的保护层包括Ti、Al等金属薄膜和Al₂O₃, SiO₂ 和Si₃N₄等高透明度的电介质薄膜。但金属薄膜作为保护层明显地降低了Ag薄膜的反射率，因此并不适合用于高反射电极，只在集成电路布线中应用。电介质薄膜保护层会使Ag薄膜失去了导电性，因此不适合作为电极，只在太阳能电池等场合作为反射镜使用。考虑到保护层需要具有良好的透光度和导电性，使用透明导电薄膜作为Ag薄膜的保护层是一个好的选择。传统的透明导电薄膜ITO具有容易结晶的特点，而多晶的ITO需要使用“王水”等强酸或强氧化剂作为刻蚀液实现图形化，Ag薄膜和ITO薄膜构成的复合薄膜的刻蚀质量较难控制。

因此，针对现有技术不足，提供一种既能有效提高Ag薄膜的热稳定性和空气储存稳定性，又具有制备简单的非晶透明的复合反射电极及其制备方法以及具有该复合电极的电致发光器件以克服现有技术不足甚为必要。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种既能有效提高银薄膜的热稳定性和空气储存稳定性，又具有制备简单的非晶透明的复合反射电极。

本发明的上述目的通过如下技术手段实现。

一种复合反射电极，设置有作为下层金属的银薄膜和作为保护层的非晶透明氧化物薄膜；

所述非晶透明氧化物薄膜为金属氧化物(In₂O₃)_x(MO)_y(ZnO)_z，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z=1，M为镓、锡、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆或镧系稀土元素中的一种元素或两种以上的元素的任意组合。

上述非晶透明氧化物薄膜的厚度为5~15 nm。

上述银薄膜设置为纯银薄膜，或者是至少含有Pd、Cu、Ti、Nb、Al、Pb、Au、Nd、Ca、Mg中的一种元素组成的银合金薄膜。

上述银薄膜的厚度为100~500 nm。

本发明的另一目的是提供一种制备简单的非晶透明的复合反射电极。

本发明的上述目的通过如下技术手段实现。

提供一种复合反射电极的制备方法，包括下列步骤， 

采用物理气相沉积法沉积银薄膜；

采用物理气相沉积法在所述银薄膜上沉积非晶透明氧化物薄膜作为保护层，形成复合薄膜；

对所形成的复合薄膜图形化得到复合反射电极。

优选的，上述图形化具体包括：

在制备好的复合薄膜上涂布光刻胶，并用曝光方法在复合薄膜上制作反射电极刻蚀掩膜图形，使用磷酸基刻蚀液进行刻蚀；

最后剥离光刻胶，获得复合反射电极。

优选的，使用磷酸基刻蚀液刻蚀具体是在20—30摄氏度下刻蚀1—9分钟。

更优选的，使用磷酸基刻蚀液刻蚀具体是在22—26摄氏度下刻蚀2-6分钟。

上述磷酸基刻蚀液的成分为：60 ~65wt%的磷酸、0.2~1 wt%的硝酸、30~35 wt %的冰醋酸，其余成分为去离子水。

本发明的还提供一种有机电致发光器件，设置有如上所述的复合电极。