[发明专利]一种复合反射电极、制备方法及有机电致发光器件有效

专利信息
申请号: 201310281943.1 申请日: 2013-07-06
公开(公告)号: CN103367652A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 徐苗;赵铭杰;邹建华;彭俊彪;王磊;陶洪 申请(专利权)人: 广州新视界光电科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;B32B15/04;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 510730 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合 反射 电极 制备 方法 有机 电致发光 器件
【权利要求书】:

1.一种复合反射电极,其特征在于:设置有作为下层金属的银薄膜和作为保护层的非晶透明氧化物薄膜;

所述非晶透明氧化物薄膜为金属氧化物(In2O3)x(MO)y(ZnO)z,其中0≤x≤1,0≤y≤1,0≤z≤1,且x+y+z=1,M为镓、锡、硅、铝、镁、钽、铪、镱、镍、锆或镧系稀土元素中的一种元素或两种以上的元素的任意组合。

2.根据权利要求1所述的复合反射电极,其特征在于:所述非晶透明氧化物薄膜的厚度为5~15 nm。

3.根据权利要求1或2所述的复合反射电极,其特征在于:所述银薄膜设置为纯银薄膜,或者是至少含有Pd、Cu、Ti、Nb、Al、Pb、Au、Nd、Ca、Mg中的一种元素组成的银合金薄膜。

4.根据权利要求3所述的复合反射电极,其特征在于:所述银薄膜的厚度为100~500 nm。

5.如权利要求1至4任意一项所述的复合反射电极的制备方法,其特征在于,包括下列步骤: 

采用物理气相沉积法沉积银薄膜;

采用物理气相沉积法在所述银薄膜上沉积非晶透明氧化物薄膜作为保护层,形成复合薄膜;

对所形成的复合薄膜图形化得到复合反射电极。

6.根据权利要求5所述的复合反射电极的制备方法,其特征在于:

所述图形化具体包括:

在制备好的复合薄膜上涂布光刻胶,并用曝光方法在复合薄膜上制作反射电极刻蚀掩膜图形,使用磷酸基刻蚀液刻蚀;

最后剥离光刻胶,获得复合反射电极。

7.根据权利要求6所述的复合反射电极的制备方法,其特征在于:使用磷酸基刻蚀液刻蚀具体是在20—30摄氏度下刻蚀1—10分钟。

8.根据权利要求7所述的复合反射电极的制备方法,其特征在于:使用磷酸基刻蚀液刻蚀具体是在22—26摄氏度下刻蚀2—6分钟。

9.根据权利要求8所述的复合反射电极的制备方法,其特征在于:所述磷酸基刻蚀液的成分为:60 ~65wt%的磷酸、0.2~1 wt%的硝酸、30~35 wt.%的冰醋酸,其余成分为去离子水。

10.一种有机电致发光器件,其特征在于:设置有如权利要求1至4任意一项所述的复合电极。

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