[发明专利]一种磁存储介质数据销毁效果检测方法有效
| 申请号: | 201310281041.8 | 申请日: | 2013-07-05 |
| 公开(公告)号: | CN103400586A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
| 发明(设计)人: | 温柏龙;张剑;刘晓毅;易涛;齐伟钢;黄旭 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十研究所 |
| 主分类号: | G11B5/024 | 分类号: | G11B5/024;G01R33/12 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐宏 |
| 地址: | 610000 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 存储 介质 数据 销毁 效果 检测 方法 | ||
技术领域
本发明涉及磁存储介质领域,尤其涉及一种磁存储介质数据销毁效果检测方法。
背景技术
现在磁性存储设备特别是硬盘的使用越来越广泛,以至于几乎所有的资料都曾经或正存储在在磁性存储设备上,当存储设备损坏或报废时,为了保证个人隐私或机密资料不被泄漏出去,需要先销毁存储的信息。对于磁性存储设备来说,消磁是一个低成本、环保的方案。
针对磁存储介质上的数据销毁,市场上出现了多种硬盘消磁器。消磁的目的就是使磁介质上代表数据信息的剩磁位回复到磁中性或单向饱和状态,使记录信息彻底消失,但在实际的消磁过程中,未必能达到上述理想的消磁效果,所以需要通过特定技术手段来测量数据销毁效果。
目前,普遍采用的方法是磁畴分布法测试,其原理是通过磁力显微镜观测磁介质上的磁畴变化来评价消磁效果。利用磁力显微镜观察磁畴分布状况,若磁畴杂乱指向、随机分布,说明磁盘回复到磁中性状态,磁盘消磁成功,数据被销毁。然而,上述方法判断的标准不明确,只是一个定性的测试,没有办法对消磁效果得出一个定量的准确的评定。
发明内容
针对现有技术中磁性存储设备数据销毁效果的测试只是定性的检测,无法给出定量的评估的技术问题,本发明公开了一种磁存储介质数据销毁效果检测方法。
本发明公开了一种磁存储介质数据销毁效果检测方法,通过检测消磁前后磁存储介质的磁化强度,根据其磁化强度的比值计算出消磁系数,根据消磁系数定量地判断数据的销毁效果。一种磁存储介质数据销毁效果检测方法,其具体包括以下步骤:取记录了数据的磁存储介质作为被测样件,先得到被测样件的磁化强度 ,再将被测样件进行消磁,得到被测样件消磁后的磁化强度,然后根据消磁前后的磁化强度计算出消磁系数γ,最后根据消磁系数γ判断磁存储介质上数据销毁的程度。通过检测消磁前后的磁化强度,就可以快速根据定义的公式判断出磁存储介质上数据销毁的程度,极大地方便了数据销毁的检测。
更进一步地,上述消磁系数γ的计算公式为:。采用上述类衰减公式能够更好地得到分布整齐的消磁系数,以便进行数据销毁程度的分类和判断。
更进一步地,上述根据消磁系数γ判断磁存储介质上数据销毁程度的方法具体为:γ值越小,数据彻底消除的效果越好。
更进一步地,上述磁存储介质为磁带、软盘或者硬盘。本发明的方法适用于各种磁存储介质,包括但不限于以上列举的种类。
更进一步地,采用振动样品磁强计检测被测样件消磁前后的磁化强度和。采用现有可以买到的设备振动样品磁强计测量被测件消磁前后的磁化强度,使得本发明易于实现。
更进一步地,检测磁存储介质磁化强度的具体步骤为:采用振动样品磁强计测量磁存储介质的磁滞回线,根据磁滞回线读取出剩余磁化强度,其剩余磁化强度即为消磁前磁存储介质的磁化强度。采用上述方法快速准确地得到消磁前磁存储介质的磁化强度。
更进一步地,检测消磁后磁存储介质磁化强度的具体步骤为:在一段时间内,每间隔一定时间读取一次磁矩,然后取磁矩的平均值,磁矩的平均值即为消磁后磁存储介质的磁化强度。采用上述方法有效地得到消磁后磁存储介质的磁化强度。
以下从本发明的原理出发,详细说明为何只需要检测消磁前后的磁化强度就可以判断磁存储介质上的数据销毁效果。
在磁记录过程中,磁介质以固定的速度旋转,经过磁头,磁头产生随时间变化的磁场施加在磁性介质上,从而在宽度为W的磁道上将信息写入。磁头和介质的相对移动将时域变化转化为空间变化(),因此磁化强度图样是沿着磁道写入。在数字磁记录过程中,磁头线圈上的电流改变的是作用在介质上的磁头场的极性。磁头场反向的瞬间将间隙上方的介质磁化强度从一个饱和状态磁化为另一个饱和状态,即写入一个反转。
磁记录信息的读取过程通过感应磁头或磁电阻磁头完成。读取过程是将数据的空间磁化强度分布转变成正负交替的电压脉冲,对读取的电压脉冲序列进行解码即可获得原始的输入信号,从而得到数据信息。
如图1所示的磁记录的几何结构示意图,图中,是介质比特单元的长度,或编码条件下反转的间距。是记录磁道宽度,是记录层的磁性厚度,是磁头和介质的距离,是磁头间隙长度,为磁头相对于介质的运动速度。此坐标系(x,y,z)中,x沿记录方向,y垂直于磁盘。磁道被平行地记录,其间距为“H”,形成减小信息串扰的防护带。对于具有屏蔽层的磁电阻磁头,磁电阻元件处于如图示的间隙之中,这时的有效间隙长度为。
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