[发明专利]有机发光装置及其制造方法

说明书

本申请要求2012年11月5日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0124126号的韩国专利申请的优先权和权益，其公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种有机发光装置及该有机发光装置的制造方法，更具体地讲，涉及一种导电覆盖层层叠在阴极上的有机发光装置和该有机发光装置的制造方法。

背景技术

有机发光装置（OLED）因根据自发射模式的高响应速度、低功耗和广视角而用作图像显示介质。此外，由于有机发光装置可以以相对低的温度的简单的工艺制造，所以有机发光装置作为下一代平板显示装置而备受关注。

通常，有机发光装置可以具有这样的构造，其中，阳极和阴极顺序放置在平的绝缘层上，其中，平的绝缘层覆盖设置在基底上的薄膜晶体管，有机层设置在阳极和阴极之间。

在有机发光装置的操作期间，从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子在阴极和阳极之间形成的有机层中彼此复合，以形成具有高能量的激子，在当激子下降到较低能量时产生光。

根据有机层中产生的光发射到装置外所沿的方向，有机发光装置可以是后发射型或者前发射型有机发光装置。

后发射型有机发光装置是利用透明的阳极和反射式的阴极沿阳极方向发射光的模式。在后发射型有机发光显示装置中，可能存在由于被设置在基底上的薄膜晶体管电路占据的区域而导致光发射区域减小的问题。

作为解决此问题的方法，已经提出了通过利用反射式的阳极和透反式的阴极使光沿阴极方向发射的前发射型有机发光装置。

前发射型有机发光装置可以包括作为阴极的金属层。然而，可被用作阴极的金属层可能需要被形成为预定的厚度，以使阴极成为透反式的，结果，存在的问题在于阴极的片电阻大大增加，因此功耗增大。

发明内容

一些实施例提供了一种能够通过将导电覆盖层层叠在阴极上而在保持光学特性的同时减小片电阻的有机发光装置及其制造方法。

本公开的示例性实施例提供一种有机发光装置，所述有机发光装置包括基底、基底上的第一电极、第一电极上的发射层、发射层上的第二电极和第二电极上的导电覆盖层。

在一些实施例中，导电覆盖层可由单层或多层形成。

在一些实施例中，第二电极可通过利用由Mg:Ag、LiF:Al、Li:Al、Li、Ca、Ag和Al中的至少一种形成为透明电极。

在一些实施例中，导电覆盖层可包含铟氧化物。

在一些实施例中，铟氧化物可具有由式InO_x代表的成分，并且x值可为1.3或更大至小于1.5。

在一些实施例中，导电覆盖层的厚度可为到。

在一些实施例中，导电覆盖层的折射率可为1.7到2.3。

一些实施例提供一种有机发光装置的制造方法，所述方法包括：在基底上形成第一电极；在第一电极上形成发射层；在发射层上形成第二电极以及在第二电极上形成导电覆盖层。

在一些实施例中，形成第二电极的步骤可包括利用Mg:Ag、LiF:Al、Li:Al、Li、Ca、Ag、和Al中至少一种作为材料来形成透明电极。

在一些实施例中，形成导电覆盖层的步骤可利用铟氧化物为材料，且铟氧化物的x值可为1.3或更大至小于1.5。

在一些实施例中，形成导电覆盖层的步骤可以包括将导电覆盖层的厚度控制为至

在一些实施例中，形成导电覆盖层的步骤可利用离子束沉积工艺、旋涂工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积（CVD）工艺、原子层沉积（ALD）工艺、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺、高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）工艺和真空沉积工艺中的任意一种方法。

在一些实施例中，形成导电覆盖层的步骤可以利用离子束相关沉积工艺。

在一些实施例中，在离子束相关沉积（IBAD）工艺过程中注入的离子可以是氩（Ar）和氧（O₂）。

在一些实施例中，在离子束相关沉积（IBAD）工艺过程中注入氩（Ar）的注入速度可以是5到30cm²/分钟。

在一些实施例中，在离子束相关沉积（IBAD）工艺过程中注入氧(O₂)的注入速度可以是3到40cm²/分钟。

根据本公开的一些实施例，阴极的导电性因在由透明金属制成的阴极上形成导电覆盖层以减少片电阻而变得优良，结果，可改进有机发光装置的功耗。