[发明专利]有机发光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310280859.8 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103811522A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 崔镇百;郑知泳;李濬九;李娟和;金元钟;房贤圣 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;金玉兰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光装置，包括：
基底；
第一电极，在基底上；
发射层，在第一电极上；
第二电极，在发射层上；以及
导电覆盖层，在第二电极上。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，导电覆盖层由单层或多层形成。
3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，第二电极包括Mg:Ag、LiF:Al、Li:Al、Li、Ca、Ag和Al中的至少一种。
4.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，导电覆盖层包含铟氧化物。
5.如权利要求4所述的有机发光装置，其中，铟氧化物具有InOx的成分，并且x值为1.3或大于1.3至小于1.5。
6.如权利要求1所述的有机发光装置，其中，导电覆盖层的厚度为到
7.如权利要求1的有机发光装置，其中，导电覆盖层的折射率为1.7到2.3。
8.一种有机发光装置的制造方法，包括：
在基底上形成第一电极；
在第一电极上形成发射层；
在发射层上形成第二电极；以及
在第二电极上形成导电覆盖层。
9.如权利要求8所述的有机发光装置的制造方法，其中，Mg:Ag、LiF:Al、Li:Al、Li、Ca、Ag和Al中的至少一种是形成第二电极的材料。
10.如权利要求8所述的有机发光装置的制造方法，其中，铟氧化物是形成导电覆盖层的材料。
11.如权利要求10所述的有机发光装置的制造方法，其中，铟氧化物具有InOx的成分，并且x值为1.3或大于1.3至小于1.5。
12.如权利要求8所述的有机发光装置的制造方法，其中，形成导电覆盖层的步骤包括将导电覆盖层的厚度控制为至。
13.如权利要求8所述的有机发光装置的制造方法，其中，形成导电覆盖层的步骤利用离子束沉积工艺、旋涂工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺和真空沉积工艺中的任意一种方法。
14.如权利要求8所述的有机发光装置的制造方法，其中，形成导电覆盖层的步骤利用离子束相关沉积工艺。
15.如权利要求14所述的有机发光装置的制造方法，其中，在离子束相关沉积IBAD工艺期间注入的离子是氩Ar和氧O2。
16.如权利要求15所述的有机发光装置的制造方法，其中，在离子束相关沉积IBAD工艺期间注入的氩Ar的注入速度是5到30cm2/分钟。
17.如权利要求15所述的有机发光装置的制造方法，其中，在离子束相关沉积IBAD工艺期间注入的氧O2的注入速度是3到40cm2/分钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
