[发明专利]用于鳍式场效应晶体管器件的后栅极隔离区域形成方法

说明书

技术领域

本公开内容主要地涉及半导体器件制作领域，并且更具体地涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)制作。

背景技术

集成电路可以包括各种半导体器件，这些半导体器件包括鳍式场效应晶体管(finFET)。FinFET是如下器件，这些器件包括充当有源沟道区域的称为鳍的三维硅层而栅极区域位于鳍之上。FinFET可以是相对小的高性能器件。在形成finFET器件期间，多个鳍可以形成于衬底上，并且可以随后去除或者切割这些鳍的一部分以在finFET器件之间形成隔离区域。在形成隔离区域之后，然后在剩余的有源鳍之上形成栅极区域。然而在栅极形成之前的鳍去除可能引起finFET器件中的形貌变化，这可能导致在后续处理步骤期间的问题(比如跨越器件在栅极之间的高度差)，这些问题可能引起在接触形成期间的问题。为了减少这样的形貌变化，隔离区域中的鳍可以备选地留在原处并且被氧化，而有源鳍例如由氮化物硬掩模保护。然而硅氧化相对于未氧化的有源鳍引起氧化的鳍中的体积增加。此外，在氧化期间保护有源鳍的氮化物硬掩模可能在暴露于氧化之后变得更难以去除，使得可能为了去除氧化的氮化物硬掩模以便完成对有源鳍的处理而需要的蚀刻也可能去除氧化的鳍。因此，鳍氧化也可能引起finFET器件中的形貌变化，从而导致在后续处理步骤期间的相似问题。

发明内容

在一个方面中，一种用于鳍式场效应晶体管(finFET)器件形成的方法包括：在衬底上形成多个鳍；在多个鳍之上形成栅极区域；并且在形成栅极区域之后形成用于finFET器件的隔离区域，其中形成用于finFET器件的隔离区域包括执行对多个鳍的子集的氧化或者去除之一。

通过本示例性实施例的技术实现附加特征。这里具体描述其它实施例并且认为这些实施例为要求保护的发明内容的一部分。为了更好理解示例性实施例的特征，将参照描述和附图。

附图说明

现在参照附图，其中相同元件在若干图中被相同地编号：

图1图示用于finFET器件的后栅极隔离区域形成的方法的实施例。

图2A至图2B是分别图示绝缘体上硅(SOI)衬底的实施例在鳍形成之后的截面和俯视图的示意框图。

图3A至图3B是分别图示图2A至图2B的器件的实施例在器件之上形成电介质层之后的截面和俯视图的示意框图。

图4A至图4B是分别图示图3A至图3B的器件的实施例在电介质层之上形成栅极材料之后的截面和俯视图的示意框图。

图5A至图5B是分别图示图4A至图4B的器件的实施例在栅极材料之上形成掩模层之后的截面和俯视图的示意框图。

图6A至图6B是分别图示图5A至图5B的器件的实施例在栅极区域定义之后的截面和俯视图的示意框图。

图7A至图7C是分别图示图6A至图6B的器件的实施例在形成间隔物之后的截面和俯视图的示意框图。

图8A至图8C是分别图示图7A至图7B的器件的实施例在形成隔离区域掩模之后的截面和俯视图的示意框图。

图9A至图9C是分别图示图8A至图8B的器件的实施例在使用隔离区域掩模来蚀刻以暴露隔离区域中的间隔物之后的截面和俯视图的示意框图。

图10A至图10C是分别图示图9A至图9B的器件的实施例在去除隔离区域中的间隔物之后的截面和俯视图的示意框图。

图11A至图11C是分别图示图10A至图10B的器件的实施例在去除隔离区域中的电介质层之后的截面和俯视图的示意框图。

图12A至12C是分别图示图11A至图11B的器件的实施例在氧化隔离区域中的鳍之后的截面和俯视图的示意框图。

图13A至图13C是分别图示图11A至图11B的器件的实施例在去除隔离区域中的鳍之后的截面和俯视图的示意框图。

具体实施方式