[发明专利]用于鳍式场效应晶体管器件的后栅极隔离区域形成方法

权利要求书

1.一种用于鳍式场效应晶体管(finFET)器件形成的方法，所述方法包括：

在衬底上形成多个鳍；

在所述多个鳍之上形成栅极区域；并且

在形成所述栅极区域之后形成用于所述finFET器件的隔离区域，其中形成用于所述finFET器件的所述隔离区域包括执行对所述多个鳍的子集的氧化和去除中的一种。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成用于所述finFET器件的所述隔离区域包括执行对所述多个鳍的所述子集的氧化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成用于所述finFET器件的所述隔离区域包括执行对所述多个鳍的所述子集的去除。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括底部体衬底、位于所述底部体衬底上的掩埋氧化物(BOX)层和位于所述BOX层上的顶部硅层，并且其中所述多个鳍形成于所述SOI衬底的所述顶部硅层中。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述栅极区域之前在所述多个鳍之上沉积电介质层，其中所述栅极区域形成于所述电介质层上。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述电介质层包括氧化物，并且其中沉积所述电介质层包括保形原子层沉积。

7.根据权利要求5所述的方法，其中在所述多个鳍之上形成所述栅极区域包括：

在所述电介质层之上沉积栅极材料；

平坦化所述栅极材料的顶表面；

在所述栅极材料之上沉积包括底部掩模层和顶部硬掩模层的两层掩模；并且

蚀刻所述栅极材料以形成所述栅极区域，其中所述两层掩模在蚀刻以形成所述栅极区域之后保留于所述栅极区域的顶部上。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述底部掩模层包括氮化物，并且所述顶部硬掩模层包括氧化物。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述底部掩模层包括氮化物，并且所述顶部硬掩模层包括氮化物。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述栅极区域包括虚设栅极，并且其中所述栅极材料包括多晶硅。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述栅极区域包括最终栅极，并且其中所述栅极材料包括在金属层之上的硅层。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述隔离区域之前在所述栅极区域之上和在位于所述多个鳍上的电介质层之上形成氮化物间隔物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在形成所述栅极区域之后形成用于所述finFET器件的隔离区域包括：

在所述氮化物间隔物之上形成隔离区域掩模；

使用所述隔离区域掩模来去除所述隔离区域中的所述氮化物间隔物以暴露所述多个鳍的所述子集；并且

执行对所述多个鳍的所述暴露的子集的氧化和去除之一以形成所述隔离区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极区域包括虚设栅极，并且其中形成所述隔离区域包括氧化。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极区域包括最终栅极，并且其中形成所述隔离区域包括氧化。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极区域包括虚设栅极，并且其中形成所述隔离区域包括去除。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述栅极区域包括最终栅极，并且其中形成所述隔离区域包括去除。

18.根据权利要求13所述的方法，还包括在执行对所述多个鳍的所述暴露的子集的氧化或者去除之一之前从所述多个鳍的所述暴露的子集去除所述电介质层。

19.根据权利要求14所述的方法，其中所述隔离区域掩模包括：

有机平坦化层(OPL)，位于所述氮化物间隔物的顶部上；

硅防反射涂层(SiArc)层，位于所述OPL之上；以及

光刻胶层，位于所述OPL的顶部上。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述光刻胶层位于所述finFET器件的有源区域的顶部上并且暴露所述隔离区域。