[发明专利]解析存储器操作类型错误的方法及其装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体地说，涉及一种解析存储器操作类型错误的方法及其装置。

背景技术

在逻辑先进制程的开发中，尤其是65纳米制程及以下技术开发中，存储器SRAM作为制程开发的主要载体（test vehicle）。其在低电压下的良率分析成为制程开发的难点和重点，如何有效地对低电压下良率流失的分析成为制程开发首先要解决的问题，也是制程开发的瓶颈之一。

而对存储器的良率分析主要内容是对存储器的操作错误进行分析，比如写操作错误write-fail、读操作错误read-fail、干扰操作错误disturb-fail。

虽然从原理上三种类型都已经被一些文献所阐述，但是实际上在现有技术中，暂时没有一套成体系的方案对三种类型的操作错误进行区分。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种解析存储器操作类型错误的方法，用以实现使用一套成体系的方案，从而分析出不同类型的存储器操作错误。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种解析存储器操作类型错误的方法，其包括：

建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；

在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；

根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，辨析不同操作错误的错误类型。

优选地，在本发明的一实施例中，所述操作错误的不同错误类型包括：写操作错误、读操作错误和干扰操作错误。

优选地，在本发明的一实施例中，在不同错误操作对应电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误包括：

清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；

对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型。

优选地，在本发明的一实施例中，清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录包括：

清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；

清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；

清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行度操作，从而获得第三操作记录。

优选地，在本发明的一实施例中，对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型，包括：

对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；

对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；

对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；

根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得操作错误。

优选地，在本发明的一实施例中，还包括：根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，获得不同操作错误的操作电压和发生操作错误的地址。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种解析存储器操作类型错误的装置，其包括：

错误类型定义单元，用于建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；

操作错误收集单元，用于在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；

错误类型解析单元，用于根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，解析不同操作错误的错误类型。

优选地，在本发明的一实施例中，操作错误收集单元包括：

操作记录获取单元，用于清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；

操作错误解析单元，用于对不同的操作记录进行解析，从而解析出对应的多个操作错误。

优选地，在本发明的一实施例中，操作记录单元包括：

第一操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；

第二操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；

第三操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行度操作，从而获得三操作记录。