[发明专利]解析存储器操作类型错误的方法及其装置

权利要求书

1.一种解析存储器操作类型错误的方法，其特征在于，包括：

建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；

在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；

根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，辨析不同操作错误的错误类型。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述操作错误的不同错误类型包括：写操作错误、读操作错误和干扰操作错误。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在不同错误操作对应电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误包括：

清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；

对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录包括：

清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；

清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；

清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行度操作，从而获得第三操作记录。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对不同的操作记录进行解析，从而解析出不同操作错误的错误类型，包括：

对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；

对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；

对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；

根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得读操作错误。

6.根据权利要求1-5任意所述的方法，其特征在于，还包括：根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，获得不同操作错误的操作电压和发生操作错误的地址。

7.一种解析存储器操作类型错误的装置，其特征在于，包括：

错误类型定义单元，用于建立不同错误类型的操作错误与对应操作电压的对应关系；

操作错误收集单元，用于在不同的操作电压下对存储器进行操作，获得对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误；

错误类型解析单元，用于根据对所述存储器进行操作时对应的多个操作错误，解析不同操作错误的错误类型。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，操作错误收集单元包括：

操作记录获取单元，用于清空存储器的存储数据，在正常操作电压下、错误操作电压下对存储器进行不同操作，获得不同的操作记录；

操作错误解析单元，用于对不同的操作记录进行解析，从而解析出对应的多个操作错误。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，操作记录单元包括：

第一操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在错误操作电压下对存储器进行写操作、在正常操作电压下对存储器进行读操作，从而获得第一操作记录；

第二操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储器进行写操作、在错误操作电压下对存储器进行写操作，从而获得第二操作记录；

第三操作记录单元，用于清除存储器内的数据，并在正常操作电压下对存储进行度操作，从而获得第三操作记录。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，操作错误解析单元包括：

第一操作错误解析单元，用于对所述第一操作记录进行解析，获得写操作错误；

第二操作错误解析单元，用于对所述第二操作记录进行解析，获得干扰操作错误；

第三操作错误解析单元，用于对所述第三操作记录进行解析，获得复合操作错误，所述复合操作错误为读操作错误和干扰错误的复合体；

第四操作错误解析单元，用于根据从所述第二操作记录中获得的干扰操作错误、第三操作记录中获得的复合操作错误，获得读操作错误。