[发明专利]一种低压差分信号驱动器在审
申请号: | 201310275469.1 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN104283546A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 朱樟明;关宇恒;赵磊;丁瑞雪;杨银堂 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;安利霞 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 信号 驱动器 | ||
1.一种低压差分信号驱动器,其特征在于,包括:
主体驱动电路,用于产生低电压摆幅的高速差动传输数据;
共模反馈网络,与所述主体驱动电路连接,用于将所述主体驱动电路的输出端的共模电压与目标共模电压相比较,以将所述共模电压调节到所述目标共模电压的电平。
2.根据权利要求1所述的低压差分信号驱动器,其特征在于,所述主体驱动电路包括:
第一NMOS晶体管(M1)、第二NMOS晶体管(M2)、第三NMOS晶体管(M3)、第四NMOS晶体管(M4)、第五NMOS晶体管(M5)以及第六NMOS晶体管(M6)、预充放电电容(CP)、第一滤波电容(C1)、第二滤波电容(C2)及负载(RL);
所述第一NMOS晶体管(M1)的栅极和所述第四NMOS晶体管(M4)的栅极分别与第一输入端信号(IN1)连接;
所述第二NMOS晶体管(M2)的栅极和所述第三NMOS晶体管(M3)的栅极分别与第二输入端信号(IN2)连接;
所述第一NMOS晶体管(M1)的源极分别连接所述第三NMOS晶体管(M3)的漏极和负载(RL)的一端,所述第二NMOS晶体管(M2)的源极分别连接所述第四NMOS晶体管(M4)的漏极和负载(RL)的另一端;
所述第五NMOS晶体管(M5)用作电流源,其栅极连接所述共模反馈网络,漏极与电源连接,源极分别连接所述第一NMOS晶体管(M1)的漏极、所述第二NMOS晶体管(M2)的漏极和所述预充放电电容(CP)的一端;
所述第六NMOS晶体管(M6)用作电流源,其栅极连接所述共模反馈网络,源极接地,漏极分别连接所述第三NMOS晶体管(M3)的源极、所述第四NMOS晶体管(M4)的源极和所述预充放电电容(CP)的另一端;
所述第一滤波电容(C1)的一端连接所述第五NMOS晶体管(M5)的栅极,另一端连接所述第一NMOS晶体管的漏极;
所述第二滤波电容(C2)的一端连接所述第三NMOS晶体管(M3)的源极,另一端连接所述第六NMOS晶体管(M6)的栅极。
3.根据权利要求2所述的低压差分信号驱动器,其特征在于,所述第一输入端信号(IN1)和所述第二输入端信号(IN2)是互补的全差分信号。
4.根据权利要求1所述的低压差分信号驱动器,其特征在于,所述共模反馈网络包括:
第七PMOS晶体管(M7)、第八PMOS晶体管(M8)、第九PMOS晶体管(M9)、第十NMOS晶体管(M10)、第十一NMOS晶体管(M11)、第十二NMOS晶体管(M12)、第十三NMOS晶体管(M13)、第一电阻(R1)、及第二电阻(R2);
所述第一电阻(R1)的一端连接所述第一NMOS晶体管(M1)的源极,另一端连接所述第十一NMOS晶体管(M11)的栅极;
所述第二电阻(R2)的一端连接所述第二NMOS晶体管(M2)的源极,另一端连接所述第十一NMOS晶体管(M11)的栅极;
所述第七PMOS晶体管(M7)的源极、所述第八PMOS晶体管(M8)的源极和所述第九PMOS晶体管(M9)的源极分别与电源连接;
所述第七PMOS晶体管(M7)和所述第八PMOS晶体(M8)管构成电流镜模式,作为所述共模反馈网络的负载;
所述第七PMOS晶体管(M7)的栅极分别连接所述第八PMOS晶体管(M8)的栅极和所述第八PMOS晶体管(M8)的漏极,其漏极连接所述第十NMOS晶体管(M10)的漏极;
所述第八PMOS晶体管(M8)的漏极连接所述第十一NMOS晶体管(M11)的漏极;
所述第九PMOS晶体管(M9)和所述第五NMOS晶体管(M5)构成电流镜模式,所述第九PMOS晶体管(M9)的栅极分别连接所述第九PMOS晶体管(M9)的漏极和所述第五NMOS晶体管(M5)的栅极;
所述第十NMOS晶体管(M10)和所述第六NMOS晶体管(M6)构成电流镜模式,所述第十NMOS晶体管(M10)的栅极分别连接所述第十NMOS晶体管(M10)的漏极和所述第六NMOS晶体管(M6)的栅极;
所述第十一NMOS晶体管(M11)的源极和所述第十二NMOS晶体管(M12)的源极分别与所述第十三NMOS晶体管(M13)的漏极相连;
所述第十二NMOS晶体管(M12)的栅极连接所述目标共模电压,其漏极连接所述第九PMOS晶体管(M9)的漏极;
所述第十NMOS晶体管(M10)的源极和所述第十三NMOS晶体管(M13)的源极分别接地;
所述第十三NMOS晶体管(M13)的栅极连接一偏置电压。
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