[发明专利]一种低辐射镀膜玻璃及其制备工艺

权利要求书

1.一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片（13）和镀膜层，所述镀膜层位于玻璃基片上表面，其特征在于所述镀膜层自玻璃基片向外依次为：Si₃N₄层（1）、ZnOx层（2）、Ag层（3）、Cu层（4）、NiCr层（5）、ZnAlOx层（6）、Si₃N₄层（7）、ZnOx层（8）、Ag层（9）、NiCr层（10）、ZnALOx层（11）、Si₃N₄层（12）。

2.如权利要求1所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述各镀膜层厚度为：Si₃N₄层（1）为22.5-23.5nm、ZnOx层（2）为5.3-7.3nm、Ag层（3）为8.3-10.3nm、Cu层（4）为7.6-9.6nm、NiCr层（5）为1.4-3.4nm、ZnAlOx层（6）为12.2-14.2nm、Si₃N₄层（7）为32.7-34.7nm、ZnOx层（8）为8.9-10.9nm、Ag层（9）为8.5-10.5nm、NiCr层（10）为0.4-2.4nm、ZnALOx层（11）为4.7-6.7nm、Si₃N₄层（12）为36.8-38.8nm。

3.如权利要求1所述的一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述镀膜玻璃表面呈金黄色。

4.如权利要求4所述的一种低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于所述玻璃基片（13）可以是夹层玻璃、彩釉玻璃、钢化玻璃或其他种类的玻璃，也可以是各种着色玻璃。

5.如权利要求4所述的一种低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于所述玻璃基片（13）的厚度为4-19㎜。

6.一种低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：

（1）清洗玻璃基片（13），干燥后将玻璃置于磁控溅射区；

（2）中频电源加旋转阴极溅射沉积第一层镀膜层，采用Si₃N₄，溅射区域气氛为：工作气体为Ar，体积流量为400-600sccm，反应气体为N₂，体积流量为900-1200sccm；

（3）中频电源加旋转阴极溅射沉积第二层镀膜层，采用ZnOx，溅射区域气氛为：工作气体为Ar，体积流量为400-600sccm，反应气体为O₂，体积流量为900-1200sccm；

（4）直流电源加脉冲溅射沉积第三层镀膜层，采用金属Ag，溅射区域气氛为：工作气体为Ar，体积流量为400-600sccm；

（5）按照步骤（2）的制备方法沉积第七和第十二层Si₃N₄层，按照步骤（3）的方法沉积第六和第十一层ZnAlOx层、第八层ZnOx层，按照步骤（4）的方法沉积第四和第九层金属Ag层、第五和第十层NiCr层。