[发明专利]一种半导体圆片背面注入时对正面的保护方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体圆片背面注入时对正面的保护方法。

背景技术

半导体功率器件生产过程中，很多工艺会涉及到背面注入工艺，这时需要将圆片翻转进行注入，而注入机注入时，正面结构与设备有接触，很容易导致正面结构划伤，产品发生失效，使得该圆片报废，不仅浪费了资源，而且增加了生产成本。目前，一般工艺为正面生长一层氧化层介质或SiN（氮化硅）作为保护层，达到保护正面的作用，待背面注入工艺完成后，通过腐蚀工艺去除正面生长的保护层。但是，现有技术中对半导体器件的正面采用介质层保护的方法，其工艺较麻烦，并且介质层生长过程中的热过程可能会影响器件结深，或表面结构，且注入后去除工艺控制不能太精确，更导致了产品正面表面结构的差异。

因此，如何在半导体圆片背面注入时对正面进行很好的保护是本行业内急需解决的问题。

发明内容

针对以上问题，本发明的目的在于提供一种工艺简单，易于实现、且能很好的保护半导体圆片正面的方法。

为达成前述目的，本发明一种半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其是在圆片的正面涂覆一层光刻胶，在进行半导体圆片背面制作工艺，待背面工艺完成后去除光刻胶，具体步骤如下：

步骤一：提供一半导体圆片；

步骤二：在所述圆片的正面涂覆一层光刻胶；

步骤三：对所述圆片的背面进行离子注入；

步骤四：去除所述圆片正面的光刻胶层。

根据本发明一个实施例，所述光刻胶为正胶或负胶。

根据本发明一个实施例，所述光刻胶的厚度为1—3微米。

根据本发明一个实施例，所述光刻胶的厚度为2.5微米。

根据本发明一个实施例，所述步骤三中注入的离子为P型离子或N型离子。

根据本发明一个实施例，所述步骤四中去胶处理方式为曝光显影方式或干法或湿法去胶方式。

根据本发明一个实施例，所述显影方式中使用的正胶显影液为26%的四甲基氢氧化铵水溶液，负胶显影液为二甲苯。

本发明的有益效果：与现有技术相比，本发明在对半导体圆片进行背面注入工艺前在半导体圆片正面进行涂胶，起到保护正面结构的作用，当背面注入工艺完成后去除正面胶质，并且不影响正面结深或表面结构。本发明工艺简单，易于实现，且保护效果好，提高了半导体功率器件的良率、降低了生产成本。

附图说明

图1是本发明方法的工艺流程图；

图2是本发明半导体圆片的结构示意图；

图3是在半导体圆片正面进行涂胶的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。

请参阅图1，其为本发明方法的工艺流程图。如图1所示，本发明一种半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其是在对半导体圆片进行背面注入前通过在圆片的正面涂覆一层保护胶达到保护正面的目的，具体步骤如下：

步骤一S110：提供一半导体圆片。请参阅图2，其为本发明半导体圆片的结构示意图，如图2所述的圆片1包括正面11和背面12。

步骤二S120：在所述圆片的正面上涂覆一层保护胶。本发明采用旋涂的方式在圆片1正面11均匀涂覆一层光刻胶层2。所述光刻胶层2是完全涂覆在所述圆片1的正面11上的。其中所述光刻胶为正胶或负胶，所涂覆的光刻胶层2的厚度为0.5—4微米。然后再对旋涂后的光刻胶层2进行去溶剂烘烤，使得光刻胶硬化，以增强光刻胶层2在圆片1正面11上的稳定性。

作为本发明一个优选的实施例，所述光刻胶层2的厚度为1—3微米。

作为本发明另一个优选的实施例，所述光刻胶层2的厚度为2.5微米。