[发明专利]一种半导体圆片背面注入时对正面的保护方法在审
| 申请号： | 201310273732.3 | 申请日： | 2013-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104253028A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 芮强;张硕;王根毅;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 背面 注入 正面 保护 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其是在圆片的正面涂覆一层光刻胶，再进行半导体圆片背面制作工艺，待背面工艺完成后去除光刻胶，具体步骤如下：
步骤一：提供一半导体圆片；
步骤二：在所述圆片的正面涂覆一层光刻胶；
步骤三：对所述圆片的背面进行离子注入；
步骤四：去除所述圆片正面的光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其特征在于：所述光刻胶为正胶或负胶。
3.根据权利要求1所述的半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度为1—3微米。
4.根据权利要求1所述的半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度为2.5微米。
5.根据权利要求1所述的半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其特征在于：所述步骤三中注入的离子为P型离子或N型离子。
6.根据权利要求1所述的半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其特征在于：所述步骤四中去胶处理方式为曝光显影方式或干法或湿法去胶方式。
7.根据权利要求6所述的半导体圆片背面注入时对正面的保护方法，其特征在于：所述显影方式中使用的正胶显影液为26%的四甲基氢氧化铵水溶液，负胶显影液为二甲苯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
