[发明专利]具有单多晶硅层存储器单元的非易失性存储器器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器器件，包括：

本体(12)，容纳半导体材料的至少第一阱(14)和至少第二阱(15)；

绝缘结构(27)；以及

至少非易失性存储器单元(2，2’)；

其中所述存储器单元(2，2’)包括：

容纳在所述第一阱(14)中的至少第一控制区域(16)；

容纳在所述第二阱(15)中的传导区域(18-20)；以及

浮置栅极区域(23)，其在所述第一阱(14)的一部分和所述第二阱(15)的一部分上延伸，电容性地耦合到所述第一控制区域(16)并且与所述传导区域(18-20)一起形成浮置栅极存储器晶体管(30)；

并且其中所述绝缘结构(27)包括：

第一绝缘区域(28)，将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)以及与所述传导区域(18-20)分开，并且具有第一厚度(D1)；以及

第二绝缘区域(29)，将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)外部的所述第一阱(14)分开，并且具有大于所述第一厚度(D1)的第二厚度(D2)。

2.根据权利要求1所述的器件，包括：

半导体材料的第三阱(13)，形成在所述本体(12)中并且容纳所述第一阱(14)和所述第二阱(15)；以及

第二控制区域(17)，容纳在所述第一阱(14)和所述第二阱(15)之间的所述第三阱(13)中；

其中所述第一绝缘区域(28)将所述浮置栅极区域(23)与所述第二控制区域(17)分开，并且所述第二绝缘区域(29)将所述浮置栅极区域(23)与所述第二控制区域(17)外部的所述第三阱(13)分开。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述第一绝缘区域(28)包括栅极绝缘区域，所述栅极绝缘区域将所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)以及与所述第二控制区域(17)分开。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中所述存储器单元(2，2’)包括在所述传导区域(18-20)之间的所述第二阱(15)中的沟道区域(30a)，并且所述第一绝缘区域(28)包括在所述浮置栅极区域(23)与所述沟道区域(30a)之间的另一栅极绝缘区域。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的存储器器件，其中所述第二绝缘区域(29)包括场绝缘区域，所述绝缘场区域从所述第一绝缘区域(28)突出，并且其中在所述存储器单元(2)中所述浮置栅极区域(23)是非平面的。

6.根据权利要求5所述的存储器器件，其中所述浮置栅极区域(23)在所述第一绝缘区域(28)上、在所述第二绝缘区域(29)上以及在所述第一绝缘区域(28)与所述第二绝缘区域(29)之间的过度区域上一致地延伸。

7.根据权利要求2-4和6中任一项所述的存储器器件，其中所述浮置栅极区域(23)与所述第一控制区域(16)和所述第二控制区域(17)邻近并且部分重叠。

8.根据权利要求2-4和6中任一项所述的存储器器件，其中所述第一控制区域(16)和所述第二控制区域(17)分别沿所述浮置栅极区域(23)在所述第一阱(14)中的单侧以及沿所述浮置栅极区域(23)在所述第三阱(13)中的单侧电容性地耦合到所述浮置栅极区域(23)。

9.根据权利要求2-4和6中任一项所述的存储器器件，其中所述浮置栅极区域(23)从所述第一阱(14)以及从所述第一控制区域(16)和第二控制区域(17)外部的所述第三阱(13)解耦。

10.根据权利要求2-4和6中任一项所述的存储器器件，其中所述第一阱(14)和所述第二阱(15)具有第一类型的传导性，并且所述第三阱(13)具有与所述第一类型的传导性相反的第二类型的传导性。

11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中所述第一控制区域(16)具有第二类型的传导性，并且所述第二控制区域(17)具有所述第一类型的传导性。

12.根据权利要求10所述的存储器器件，其中所述传导区域(18-20)具有所述第二类型的传导性。