[发明专利]半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次沉积有界面层、芯膜和硬掩模层；

对所述硬掩模层和所述芯膜进行图案化以形成中间图案；

对所述中间图案中的所述芯膜进行横向回刻蚀，所述横向回刻蚀的量根据最终关键尺寸来确定；

在所述芯膜的表面外延生长硅锗以填充由所述横向回刻蚀去掉的所述芯膜的侧壁空间；

去除所述硬掩模；

去除所述芯膜从而由所述硅锗形成间隔物图案掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间图案的图形间隔根据最终图形间隔来确定。

3.根据权利要求2所述的方法，所述中间图案的节距为最终节距的两倍，所述中间图案中的芯膜和硬掩模的线宽为所述最终关键尺寸的3倍，所述中间图案的图形间隔的上关键尺寸等于所述最终关键尺寸。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，最终形成的所述硅锗间隔物图案掩模的横截面为长方形，用于限定自对准双图案化的所述最终关键尺寸。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述芯膜的表面外延生长硅锗后还包括：

进行湿法剥离工艺以处理所述硅锗的侧壁表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯膜为硅芯膜、所述硬掩模使用氮化硅、或所述界面层使用氧化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯膜的横向回刻蚀工艺为使用所述硬掩模作为掩模的湿法刻蚀。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述芯膜的湿法刻蚀使用TMAH和/或NH₄OH；

所述芯膜的湿法刻蚀速率为5-50A/min；

所述横向回刻蚀的量根据所述最终关键尺寸来确定包括：

所述横向回刻蚀的量等于所述最终关键尺寸。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述芯膜包括：

通过使用TMAH和/或NH₄OH的湿法剥离工艺去除所述芯膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述硬掩模包括：

在高温下使用磷酸去除所述硬掩模。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔物图案掩模的材料不同于所述芯膜和所述硬掩模的材料，并且在所述芯膜和所述硬掩模之间具有好的干法和湿法刻蚀选择性。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

基于所述间隔物图案掩模通过干法刻蚀以向下传递图案。