[发明专利]单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法无效
申请号: | 201310271137.6 | 申请日: | 2013-06-30 |
公开(公告)号: | CN103426736A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 季凌飞;吕晓占;吴燕;凌晨;胡炎;蒋毅坚;王世贤 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/306 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 金字塔 激光 化学 次序 可控 制备 方法 | ||
1.单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)激光扫描开孔定位:软件绘制所需制绒图形,清洗硅片,通过电脑控制聚焦后的激光依照图形在硅片表面进行扫描开孔,形成微米级倒锥形孔均匀分布的绒面,能量密度:6.8J/cm2~8.4J/cm2,A=1.56*107~2.68*107,定义A为硅片表面平均每平方厘米所接收到的脉冲数;
(2)酸洗孔状绒面:HF酸漂洗孔状绒面,去除氧化物,再进行蒸馏水超声清洗,去除碎屑,之后氮气吹干;
(3)制备倒金字塔绒面:将酸洗后的样品放入配置好的碱性溶液中水浴加热,制备出微米级倒金字塔绒面。
2.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(1)所用激光为皮秒激光,波长1064nm,光斑聚焦到微米级后对硅片表面进行扫描。
3.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(2)所用HF酸的体积分数为15%~25%,HF酸漂洗时间3~5min,蒸馏水超声清洗时间3~5min。
4.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(3)水浴加热的温度为75~80℃。
5.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(3)水浴加热时间依步骤(2)制备的孔状绒面孔的开孔大小而定,20~30μm直径的开孔,需要加热10~15min。
6.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(3)中碱性溶液由氢氧化钠、无水乙醇和蒸馏水配置而成,各原料的质量百分比为:
氢氧化钠 3%~5%
无水乙醇 15%~25%
蒸馏水 余量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造