[发明专利]单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法无效

专利信息
申请号: 201310271137.6 申请日: 2013-06-30
公开(公告)号: CN103426736A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 季凌飞;吕晓占;吴燕;凌晨;胡炎;蒋毅坚;王世贤 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/306
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 单晶硅 金字塔 激光 化学 次序 可控 制备 方法
【权利要求书】:

1.单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)激光扫描开孔定位:软件绘制所需制绒图形,清洗硅片,通过电脑控制聚焦后的激光依照图形在硅片表面进行扫描开孔,形成微米级倒锥形孔均匀分布的绒面,能量密度:6.8J/cm2~8.4J/cm2,A=1.56*107~2.68*107,定义A为硅片表面平均每平方厘米所接收到的脉冲数;

(2)酸洗孔状绒面:HF酸漂洗孔状绒面,去除氧化物,再进行蒸馏水超声清洗,去除碎屑,之后氮气吹干;

(3)制备倒金字塔绒面:将酸洗后的样品放入配置好的碱性溶液中水浴加热,制备出微米级倒金字塔绒面。

2.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(1)所用激光为皮秒激光,波长1064nm,光斑聚焦到微米级后对硅片表面进行扫描。

3.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(2)所用HF酸的体积分数为15%~25%,HF酸漂洗时间3~5min,蒸馏水超声清洗时间3~5min。

4.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(3)水浴加热的温度为75~80℃。

5.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(3)水浴加热时间依步骤(2)制备的孔状绒面孔的开孔大小而定,20~30μm直径的开孔,需要加热10~15min。

6.如权利要求1所述的单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法,其特征在于,步骤(3)中碱性溶液由氢氧化钠、无水乙醇和蒸馏水配置而成,各原料的质量百分比为:

氢氧化钠  3%~5%

无水乙醇  15%~25%

蒸馏水    余量。

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