[发明专利]放射线检测装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及放射线检测装置和制造放射线检测装置的方法。

背景技术

为了实现能够检测直至放射线检测装置的边缘附近的放射线的放射线检测装置，日本专利公开No.2008-151768提出了切割传感器基板以使得荧光体（phosphor）层的侧面和传感器基板的侧面被布置在同一平面上的技术。日本专利公开No.2008-8899提出了使用抗湿片状膜覆盖放射线检测器以提高放射线检测器的防湿性能的技术。日本专利公开No.2006-52986提出了使用框架部件覆盖荧光体层的侧面和使用保护层覆盖其上面、从而提高荧光体层的防湿性能的技术。

发明内容

对于日本专利公开No.2008-151768的技术，因为荧光体层的侧面暴露于空气，所以其抗湿不充分。对于日本专利公开No.2008-8899的技术，在从像素阵列到放射线检测装置边缘的距离短的所谓的窄框缘（bezel）边上，抗湿膜覆盖直至传感器基板的侧面，因而，框缘部分的宽度因抗湿膜变宽。并且，对于利用抗湿膜的技术，如果抗湿膜被剥落，则防湿性能下降。对于日本专利公开No.2006-52986的技术，荧光体层的防湿性能提高，但是在该技术中根本就没有考虑框缘的变窄。因此，本发明的一个方面提供一种用于在至少一部分的边为窄框缘的放射线检测装置中提高防湿性能的技术。

第一方面提供了一种制造放射线检测装置的方法，包括：在其上形成有像素阵列的传感器基板上，形成覆盖像素阵列的闪烁体层、覆盖闪烁体层的侧面的密封层、以及覆盖闪烁体层的上面和密封层的上面的保护层；以及沿像素阵列的边切割传感器基板、密封层、以及保护层，以使得传感器基板的切割表面、密封层的切割表面、以及保护层的切割表面被布置在同一平面上。

第二方面提供了一种放射线检测装置，包括：具有像素阵列的传感器基板；覆盖像素阵列的闪烁体层；覆盖闪烁体层的侧面的密封层；以及覆盖闪烁体层的上面和密封层的上面的保护层，其中，传感器基板的至少一个侧面位于与密封层的侧面和保护层的侧面相同的平面上。

从（参照附图）对示例性实施例的如下描述，本发明的进一步的特征将变得显而易见。

附图说明

被并入说明书中并构成其一部分的附图示出本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1A和1B是示出本发明的一些实施例的放射线检测装置的示例性制造方法的示图。

图2A至2F是示出图1A和1B中的实施例的变型的示图。

图3是示出本发明的一些实施例的放射线检测装置的示例性制造方法的示图。

图4是示出本发明的一些实施例的放射线检测装置的示例性制造方法的示图。

具体实施方式

下面将参照附图描述本发明的实施例。贯穿于不同的实施例，类似的元件被给予相同的附图标记，并且将省略其冗余描述。并且，实施例可被适当修改或者组合。本发明的实施例涉及放射线检测装置以及该放射线检测装置的制造方法，该放射线检测装置包括多个用于检测光的像素以阵列布置的像素阵列、以及将入射的放射线转换成具有可被像素检测的波长的光的闪烁体层。本发明的实施例尤其涉及在其一部分的边上从像素阵列到放射线检测装置边缘的距离短的放射线检测装置，如用于乳房摄影（mammography）的放射线检测装置中那样。以下，在其上到放射线检测装置边缘的距离短的该边将被称为窄框缘边。

将参照图1A和1B描述根据本发明的第一实施例的放射线检测装置的制造方法。首先，如图1A所示，制备具有传感器基板100的结构，在所述传感器基板100上形成有覆盖层110、闪烁体层120、密封层130和131、以及保护层140和141。在图1A中，下图是该结构的平面图，右上图是该结构的右侧视图，左上图是沿线A-A获取的该结构的横截面图。出于解释的目的，平面图示出了传感器基板100、闪烁体层120、以及密封层130和131，并省略了其它组件。

在传感器基板100上，形成了具有以阵列布置的多个像素101的像素阵列102。像素101将由闪烁体层120从放射线转换的光转换为电荷。可通过任何方法（例如通过已知方法）形成像素阵列102，并且因此将省略其详细描述。例如，每个像素101可由开关元件和光电转换元件构成，该开关元件由非晶硅或者多晶硅制成。并且，CCD传感器或者CMOS传感器可由像素阵列102构成。并且，传感器基板100可包含用于在传感器基板100的表面上保护像素阵列102的传感器保护层。