[发明专利]放射线检测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造放射线检测装置的方法，包括：

在其上形成有像素阵列的传感器基板上形成覆盖像素阵列的闪烁体层、覆盖闪烁体层的侧面的密封层、以及覆盖闪烁体层的上面和密封层的上面的保护层；以及

沿像素阵列的边切割传感器基板、密封层、以及保护层，以使得传感器基板的切割表面、密封层的切割表面、以及保护层的切割表面被布置在同一平面上。

2.根据权利要求1的方法，

其中，密封层包括覆盖闪烁体层的一个或者更多个侧面的第一部分、以及覆盖闪烁体层的其它的一个或者更多个侧面的第二部分，以及

在切割期间，密封层的第一部分被切割。

3.根据权利要求2的方法，

其中，密封层的第二部分由防湿性能优于密封层的第一部分的防湿性能的材料制成。

4.根据权利要求1的方法，进一步包括：

朝向密封层对保护层进行热密封，以形成保护层中的热密封部分。

5.根据权利要求4的方法，

其中，在切割期间，保护层在热密封部分中被切割。

6.根据权利要求1的方法，

其中，所述形成包括沿像素阵列的边在传感器基板上形成划片线，

密封层形成在划片线上，以及

使用划片线执行切割。

7.根据权利要求1的方法，

其中，所述形成包括在使用柱状晶体的集合体形成闪烁体层之后使用树脂形成密封层，以及

用于形成密封层的树脂进入柱状晶体的集合体的柱之间。

8.根据权利要求1的方法，进一步包括：

去除传感器基板的背面的一部分，以使得传感器基板的厚度朝向传感器基板的切割表面变得更薄。

9.根据权利要求1的方法，

其中，在所述形成期间，彼此相邻的第一像素阵列和第二像素阵列各被作为所述像素阵列形成在传感器基板上，并且第一像素阵列的一边面对第二像素阵列的一边，

闪烁体层包括覆盖第一像素阵列的第一闪烁体层和覆盖第二像素阵列的第二闪烁体层，

密封层覆盖第一闪烁体层的侧面和第二闪烁体层的侧面，

保护层覆盖第一闪烁体层的上面、第二闪烁体层的上面、以及密封层的上面，以及

在切割期间，传感器基板、密封层、以及保护层在第一像素阵列和第二像素阵列之间的位置处被切割。

10.根据权利要求9的方法，进一步包括：

在切割之前，沿第一像素阵列的与其面对第二像素阵列的边相邻的边切割传感器基板、密封层、以及保护层。

11.一种放射线检测装置，包括：

具有像素阵列的传感器基板；

覆盖像素阵列的闪烁体层；

覆盖闪烁体层的侧面的密封层；以及

覆盖闪烁体层的上面和密封层的上面的保护层，

其中，传感器基板的至少一个侧面位于与密封层的侧面和保护层的侧面相同的平面上。