[发明专利]堆叠纳米线制造方法有效
| 申请号： | 201310269609.4 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104253048B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 马小龙;秦长亮;殷华湘;付作振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 堆叠 纳米 制造 方法 | ||
1.一种堆叠纳米线制造方法，包括：
步骤a，在衬底上形成硬掩模；
步骤b，各向异性刻蚀衬底形成第一沟槽，第一沟槽之间形成鳍片；
步骤c，在第一沟槽底部形成选择性的电介质材料的底部刻蚀停止层；
步骤d，湿法腐蚀刻蚀第一沟槽，形成第二沟槽；
步骤e，圆润化鳍片，形成堆叠纳米线。
2.如权利要求1的堆叠纳米线制造方法，其中，重复步骤b至步骤d，形成上下层叠的位于第一沟槽之间的多个鳍片。
3.如权利要求1的堆叠纳米线制造方法，其中，步骤b中采用各向异性的干法刻蚀，形成的第一沟槽具有垂直侧壁。
4.如权利要求1的堆叠纳米线制造方法，其中，步骤c中电介质材料为旋涂玻璃(SOG)。
5.如权利要求1的堆叠纳米线制造方法，其中，步骤d中采用湿法腐蚀，形成的第二沟槽侧壁向内凹陷。
6.如权利要求5的堆叠纳米线制造方法，其中，湿法腐蚀液包括TMAH。
7.如权利要求1的堆叠纳米线制造方法，其中，步骤d中的第二沟槽之间保留有鳍片的剩余部分。
8.如权利要求7的堆叠纳米线制造方法，其中，步骤e进一步包括：在鳍片表面形成氧化层；去除氧化层，露出棱柱形鳍片。
9.如权利要求1的堆叠纳米线制造方法，其中，步骤d中的第二沟槽相连，使得鳍片分离成棱柱形纳米线。
10.如权利要求8或9的堆叠纳米线制造方法，其中，步骤e中在氢气氛围下退火，使得棱柱形纳米线圆润化，形成堆叠纳米线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
