[发明专利]像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置有效
申请号: | 201310269350.3 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN103367391A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 侯文军;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;B41M5/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 及其 制作方法 显示 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置。
背景技术
喷墨打印技术是现代办公印刷中采用的主要技术之一,近年来,研究人员开始尝试把喷墨打印技术应用于平面功能材料的制备,如制备聚合物导电膜、制备彩色有机发光二极管、制备薄膜半导体器件等。
现有的(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置,如图1所示,OLED显示基板包括衬底基板11、设置在所述衬底基板11上的阳极电极层12、发光功能层13、阴极电极层14。显示装置包括多个像素区域31和非像素区域32,如图2所示。在制造过程中,阳极电极层包括多个像素图案,所述像素图案对应像素区域,利用喷墨打印的方式在阳极电极层上形成发光功能层。然而,由于墨水的流动性,为了减少喷墨打印的墨水流溢到相邻的像素图案区域,一般在像素图案区域之间的非像素区域设置包括像素分隔墙的像素界定层,用以形成多个包围像素区域的空间,喷墨打印的发光功能层墨水通过喷墨打印的方式喷涂在所述包围空间内,即喷涂在阳极电极层表面。
但在实际喷墨打印过程中,喷墨打印的墨水可能会有少量溢出,就会流溢在相邻的像素区域,造成显示不良。
发明内容
本发明的实施例提供一种像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置,所述像素界定层包括像素分隔墙图案,所述像素分隔墙的上表面在中间部分向内凹陷,喷墨打印的墨水有少量流溢会沉积在像素分隔墙向内凹陷的凹槽内,避免因流溢到相邻的像素区域而造成显示不良。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供了一种像素界定层,所述像素界定层包括像素分隔墙图案,且所述像素分隔墙的上表面具有凹陷。
可选的,所述凹陷的深度占所述像素分隔墙高度的20%至40%。
本发明实施例提供了一种像素界定层的制作方法,包括:
对基板进行图案化表面处理;
在基板上形成像素界定层,所述像素界定层包括像素分隔墙图案,且所述像素分隔墙的上表面具有凹陷。
可选的,形成所述像素界定层的溶液中溶剂的沸点在200゜C以下。
可选的,在基板上形成像素界定层是通过喷墨打印形成的。
可选的,所述喷墨打印的溶液的溶剂为二氯甲烷、三氯甲烷、四氢呋喃、氯苯、甲苯、邻二氯苯、邻二甲苯、正己烷、环己烷、苯甲醚、全氟呋喃、N’N-二甲基甲酰胺、N’N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜。
可选的,所述基板包括像素区域与非像素区域,对基板进行图案化表面处理使像素区域的表面能与非像素区域的表面能不同;
在非像素区域形成所述像素分隔墙图案。
可选的,液滴在所述基板像素区域的接触角和液滴在所述基板非像素区域的接触角相差大于30°。
可选的,所述对基板进行图案化表面处理使得基板上像素区域的表面能与非像素区域的表面能大小不同具体为:
对基板进行自组装单分子层表面处理,在基板像素区域形成单分子层。
可选的,对所述基板进行自组装单分子层表面处理,在基板像素区域形成单分子层具体为:
对基板进行自组装单分子层表面处理,在基板表面形成单分子层;
去除非像素区域的单分子层。
可选的,所述对基板进行自组装单分子层表面处理,在基板像素区域形成单分子层具体为:在惰性气体的环境中,利用氟化硅烷对基板进行处理,在基板表面形成氟化硅烷的单分子层;
利用掩膜板对基板上的非像素区域进行紫外光照射去除非像素区域的氟化硅烷单分子层。
可选的,在非像素区域形成像素分隔墙之后,还包括:
去除像素区域的单分子层。
可选的,在惰性气体的环境中,利用氟化硅烷对基板进行处理,在基板表面形成氟化硅烷的单分子层;利用掩膜板对基板上的非像素区域进行紫外光照射,去除非像素区域的氟化硅烷单分子层,再在基板的非像素区域形成像素分隔墙之后,还包括:去除像素区域的氟化硅烷。
可选的,所述去除像素区域的氟化硅烷具体为:
至少对像素区域进行紫外光照射。
可选的,所述利用喷墨打印在基板上形成像素界定层具体为:
通过喷墨打印的方法在非像素区域打印形成像素分隔墙材料的溶液;
待基板上打印的溶液形成咖啡环结构之后,对非像素区域打印的溶液进行固化处理,所述咖啡环结构形成为所述凹陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的