[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

TFT-LCD显示面板的制造工艺包括：制造阵列（Array）基板和彩膜（Color Filter）基板，然后再将阵列基板和彩膜基板进行对位、成盒（Cell）。如图1所示，典型的TFT阵列基板包括透明基板11以及依次位于透明基板表面上TFT的栅极120、栅极绝缘层13、有源层14、位于有源层14两侧的TFT的漏极121和TFT的源级122、位于有源层14、TFT漏极121和TFT源级122表面上的第一钝化层15、位于第一钝化层表面的面状的第一透明电极16以及依次形成于第一透明电极16表面上的第二钝化层17和狭缝结构的第二透明电极18。

现有技术中，如图1所示，半导体源层14和栅极绝缘层13的一部分没有被TFT的源级122或漏极121所遮挡（如图1中区域A所示），因此光线由于没有金属层的反射而直接照射到半导体有源层14和栅极绝缘层13的表面，这样一来，会激活外界环境而产生浅能级缺陷态，在半导体有源层14和栅极绝缘层13的界面处发生载流子捕获效应，进而造成半导体有源层14和栅极绝缘层13产生相对较大的漏电流，从而影响TFT的稳定性，降低显示器件的显示效果。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，用以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供了一种阵列基板，包括透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT、第一透明电极位于所述第一钝化层的表面；对应所述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。

本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；

在形成上述图案的基板表面对应所述TFT沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。

本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，该阵列基板包括透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT、第一透明电极位于第一钝化层的表面，对应述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。这样一来，通过该光阻结构可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的阵列基板结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

一种阵列基板，如图2所示，可以包括：透明基板11以及位于透明基板11上的薄膜晶体管TFT12，第一钝化层15覆盖TFT12、第一透明电极16位于第一钝化层15的表面，在TFT12远离所述透明基板11的一侧对应TFT12的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构20。

本发明实施例提供一种阵列基板，通过在对应述TFT的沟道位置处制作用于防止光线透射的光阻结构，从而可以有效避免现有技术中半导体有源层14和栅极绝缘层13未被TFT的源级122或漏极121所覆盖而产生的漏光现象。这样一来，可以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。