[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置无效
| 申请号： | 201310269302.4 | 申请日： | 2013-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103337497A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 阎长江;李靖;李田生;谢振宇;陈旭 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括透明基板以及位于所述透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖所述TFT、第一透明电极位于所述第一钝化层的表面；对应所述TFT的沟道位置处具有用于防止光线透射的光阻结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括连续的多个斜面或者曲面的微结构。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述光阻结构包括遮光层：
所述遮光层位于所述TFT与所述第一钝化层之间；
所述遮光层位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
制作位于所述TFT与所述第一钝化层之间的所述遮光层的材料包括树脂材料；
制作位于所述第一钝化层与所述第二钝化层之间的所述遮光层的材料包括树脂材料或金属材料。
5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4所述的任一阵列基板。
6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在形成有薄膜晶体管TFT的基板表面形成第一钝化层的图案；
在形成上述图案的基板表面对应所述TFT沟道的位置处形成用于防止光线透射的光阻结构。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述光阻结构的制造方法包括：
在形成有所述TFT的基板上形成所述第一钝化层；
在所述第一钝化层的表面对应所述TFT的沟道位置通过构图工艺形成表面具有连续的多个斜面或者曲面的微结构。
8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述光阻结构包括：
在形成有所述TFT的基板上形成遮光层；或，
在形成有第一钝化层的基板上形成所述遮光层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在形成有所述TFT的基板上形成的所述遮光层的材料包括树脂材料；
在形成有所述第一钝化层的基板上形成的所述遮光层的材料包括树脂材料或金属材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310269302.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可切换的可见光与红外综合成像系统
- 下一篇：一种薄膜晶体管的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
