[发明专利]研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域的研磨设备，特别涉及一种具有第二阻流环的缓冲台装置。

背景技术

配合参见图1、图2所示，在EBARA公司设计的一种对晶圆表面进行化学机械研磨的设备中，从上而下依次设置有缓冲台10（buffer table）、基座20、台板30及平台40。从下方送来的研磨液或去离子水，经由所述缓冲台10中间位置均匀分布的大量通孔，向放置在该缓冲台10上的晶圆输送进行相应处理。

所述基座20的中心设有导流孔，与输送研磨液和去离子水的管道50连通；在所述基座20的表面安装有一个第一阻流环21，该第一阻流环21围成的区域与其上方缓冲台10的中间位置相对应，用来限制上述液体在基座20表面流动的范围。

所述缓冲台10及基座20的周边相应地设置有多对第一连接孔61（图示为6对），用来将两者固定连接。所述基座20及其下方台板30的周边，还相应地设置有多对第二连接孔62（图示为6对），用来将两者固定连接。

所述台板30的中心开设了第一安装孔31，用来组装下方平台40中心的支撑轴41等装置；输送研磨液和去离子水的管道50穿设在该支撑轴41中。所述台板30的周边还开设有多个第二安装孔32，在组装时供平台40中的多个轴承42对应穿过（图示为3个轴承42及第二安装孔32）。

其中，所述的第一阻流环21是一个O型环，组装后其在竖直方向将位于所述缓冲台10和基座20之间，以有效阻止基座21中间流出的液体流动到该第一阻流环21外。然而，现有设备的上述结构中，往往会在基座20下方的台板30上发现研磨液中的杂质残留。研究发现，如果液体是从外部溅到基座20上第一阻流环21外侧的位置时，将很容易流动到基座20的第二连接孔62，从而通过基座20与台板30上对应的第二连接孔62流至台板30表面，及进一步通过台板30上的第二安装孔32流到下方的轴承42处，而影响轴承42的正常工作。

为了解决上述问题，现有设备中往往通过在基座20的第二连接孔62内安装特制的垫圈，来阻止液体从外部流入。但是，在每季度的设备维护时，一般都需要对这些特制垫圈进行更换，才能保证其阻流的效果。采购这些特制垫圈将增加设备使用及维护的成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置，通过在基座上设置第二阻流环，有效防止研磨液和去离子水从外部流入到第二连接孔，从而提升对下方轴承的保护能力，降低设备使用及维护的成本。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是提供一种研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置，从上而下依次设置有相应连接的缓冲台、基座、台板及平台；所述平台中有多个轴承穿过台板布置；通过相应管道输送到基座中心导流孔处的液体，能够在基座表面上由第一阻流环限定的范围内流动，进而向上通过缓冲台中间位置的大量通孔，流动到缓冲台的上方，对放置在缓冲台上的晶圆表面进行相应处理；所述基座与所述缓冲台的周边对应设置有多对用来连接两者的第一连接孔，所述基座与所述台板的周边对应设置有多对用来连接两者的第二连接孔；其中，所述基座表面上还设置有至少一个阻止液体从基座的边缘流入所述第二连接孔的第二阻流环，以阻止液体通过所述第二连接孔流动到基座下方的台板及轴承处。

在所述的基座上，各个第二连接孔位于第一阻流环的外侧，第二阻流环进一步设置在各个第二连接孔的外侧，从而由所述第一阻流环来防止液体从基座的中心流入所述第二连接孔，而由所述第二阻流环来防止液体从基座的边缘流入所述第二连接孔。

优选的所述基座上，各个第一连接孔位于所述第二阻流环的外侧。

优选的所述基座上，设置有多个同圆心布置的第二阻流环。

优选的所述第二阻流环是O型环。

所述基座上开设有匹配的凹槽来嵌入安装所述的第二阻流环。

与现有技术相比，本发明提供的一种研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置，其优点在于：本发明中由于在基座上安装了第二阻流环，能够有效防止液体从基座外侧流入用以连接基座与台板的第二连接孔，以阻止液体流到台板上或进而通过台板周边的第二安装孔流到下方平台的轴承处，保证了轴承的正常工作不受影响。由于具有第二阻流环，因此，不再需要在基座的第二连接孔内设置特制的垫圈，即使原先设置了特制垫圈，在定期维护中也不需要频繁更换，延长了其使用寿命，简化了维护操作且节省了成本。

附图说明

图1是现有缓冲台装置的组装结构示意图；

图2是现有缓冲台装置中基座的表面结构示意图；